[发明专利]一种拉制高电阻率区熔单晶硅的工艺方法在审
| 申请号： | 202111243920.2 | 申请日： | 2021-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN113943973A | 公开（公告）日： | 2022-01-18 |
| 发明（设计）人： | 郑万超;张伟才;冯旭;张瀚文;李聪;刘洪;李明佳 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 |
| 主分类号： | C30B13/00 | 分类号： | C30B13/00;C30B29/06 |
| 代理公司： | 天津中环专利商标代理有限公司 12105 | 代理人： | 王凤英 |
| 地址： | 300220*** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 拉制 电阻率 单晶硅 工艺 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种拉制高电阻率区熔单晶硅的工艺方法，所述工艺方法包括：多晶料对中、籽晶安装、封炉、抽真空、通氩气、预热、化料引晶、拉细颈、扩肩、转肩、等径保持及收尾工艺，其特征在于：在所述等径保持工艺中增加正反转工艺，当熔区液面稳定后，开启设备的正反转功能，设定顺时针转动的时间为10s，逆时针转动的时间为20s，然后继续进行区熔单晶硅的等径保持过程；同时所述拉制高电阻率区熔单晶硅所用多晶料为高纯度Wacker多晶硅料，其电阻率高于10000 Ω·cm，杂质含量的具体参数要求如下：C含量≤60 ppba，B含量≤40ppta，P含量≤120 ppta，As含量≤6 ppta。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子科技集团公司第四十六研究所，未经中国电子科技集团公司第四十六研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202111243920.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
