[发明专利]电子装置在审

专利信息
申请号: 202111241743.4 申请日: 2021-10-25
公开(公告)号: CN116027574A 公开(公告)日: 2023-04-28
发明(设计)人: 王若馨;李俊贤;陈澔宇 申请(专利权)人: 群创光电股份有限公司
主分类号: G02F1/13 分类号: G02F1/13;G02F1/1333;G02F1/1337;G02F1/1335;G02F1/13363
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 宋兴;刘芳
地址: 中国台湾新竹科学工*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 电子 装置
【权利要求书】:

1.一种电子装置,其特征在于,包括:

视角控制结构,包括:

第一基板;

第二基板,相对于所述第一基板设置;

调控介电层,设置于所述第一基板与所述第二基板之间;

第一配向层,设置于所述第一基板与所述调控介电层之间;以及

第二配向层,设置于所述第二基板与所述调控介电层之间;

其中所述第一配向层与所述第二配向层的其中一者为水平配向,而所述第一配向层与所述第二配向层的另一者为垂直配向。

2.根据权利要求1所述的电子装置,其特征在于,所述水平配向的配向倾角介于0度至30度之间,而所述垂直配向的配向倾角介于50度至90度之间。

3.根据权利要求1所述的电子装置,其特征在于,所述视角控制结构还包括:

第一偏光片,设置于远离所述调控介电层的所述第一基板的一侧上;

第二偏光片,设置于远离所述调控介电层的所述第二基板的一侧上;以及

相位调节结构,设置在所述第一偏光片与所述第二偏光片之间;

其中所述调控介电层的相位延迟值Δnd为Anm,所述相位调节结构的整体厚度方向相位差值Rth为B nm,且A与B符合以下关系式:A*0.600-360≦B≦A*0.8667+220。

4.根据权利要求3所述的电子装置,其特征在于,所述调控介电层的所述相位延迟值Δnd介于750nm至2400nm之间。

5.根据权利要求3所述的电子装置,其特征在于,所述相位调节结构包括多层结构。

6.根据权利要求3所述的电子装置,其特征在于,所述第一基板或所述第二基板属于所述相位调节结构的一部份。

7.一种电子装置,其特征在于,包括:

视角控制结构,包括

第一偏光片;

第二偏光片,相对于所述第一偏光片设置;

调控介电层,设置于所述第一偏光片与所述第二偏光片之间;以及

相位调节结构,设置在所述第一偏光片与所述第二偏光片之间;

其中所述调控介电层的相位延迟值Δnd为Anm,所述相位调节结构的整体厚度方向相位差值Rth为B nm,且A与B符合以下关系式:

A*0.600-360≦B≦A*0.8667+220。

8.根据权利要求7所述的电子装置,其特征在于,所述调控介电层的所述相位延迟值Δnd介于750nm至2400nm之间。

9.根据权利要求7所述的电子装置,其特征在于,所述相位调节结构包括多层结构。

10.根据权利要求7所述的电子装置,其特征在于,所述视角控制结构还包括

第一基板,设置于所述第一偏光片与所述调控介质之间,

且所述第一基板属于所述相位调节结构的一部份。

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