[发明专利]一种基于Micro LED的硒鼓打印结构

权利要求书

1.一种基于Micro LED的硒鼓打印结构，包括硒鼓滚筒，其特征在于，还包括设置在所述硒鼓滚筒上方的自发光组件，所述自发光组件包括设置为条形结构的Micro LED阵列，所述Micro LED阵列用于向硒鼓滚筒的表面发射特定波长的红外光。

2.根据权利要求1所述的基于Micro LED的硒鼓打印结构，其特征在于，所述Micro LED阵列与所述硒鼓滚筒之间设有光波导管线阵，所述光波导管线阵用于聚拢光线。

3.根据权利要求2所述的基于Micro LED的硒鼓打印结构，其特征在于，所述Micro LED阵列包括若干Micro LED器件，所述Micro LED器件包括像素电极和发光颗粒，所述发光颗粒为采用垂直结构的半导体发光二极管微粒。

4.根据权利要求3所述的基于Micro LED的硒鼓打印结构，其特征在于，所述光波导管线阵中光波导管的数量大于等于所述Micro LED阵列中Micro LED器件的数量。

5.根据权利要求4所述的基于Micro LED的硒鼓打印结构，其特征在于，所述光波导管线阵上靠近所述硒鼓滚筒的一侧设有微透镜线阵，所述微透镜线阵用于对光线进行收敛。

6.根据权利要求3-5中任一项权利要求所述的基于Micro LED的硒鼓打印结构，其特征在于，所述发光颗粒包括N型半导体、P型半导体和设置在二者之间的发光量子阱，所述像素电极设置为阴极电极且与所述N型半导体相连接，所述P型半导体通过引线与阳极电极相连接，且所述发光颗粒的侧边设置有绝缘隔离结构。

7.根据权利要求6所述的基于Micro LED的硒鼓打印结构，其特征在于，所述绝缘隔离结构设置在所述P型半导体和发光量子阱的侧边。

8.根据权利要求7所述的基于Micro LED的硒鼓打印结构，其特征在于，所述引线通过绝缘层与所述发光颗粒的侧边相连接。

9.根据权利要求8所述的基于Micro LED的硒鼓打印结构，其特征在于，所述发光量子阱的发光波长范围为170nm-180nm。

10.根据权利要求9所述的基于Micro LED的硒鼓打印结构，其特征在于，所述阴极电极和阳极电极分别嵌至硅基板的表面，所述阴极电极和阳极电极均为金属电极，且所述硅基板上布设有与阴极电极和阳极电极相连接的CMOS驱动控制电路，所述CMOS控制电路用于对阳极电极进行供电控制以实现对发光颗粒的发光控制。