[发明专利]等离子体处理装置

说明书

本发明涉及一种等离子体处理装置。使腔室的内壁的温度均匀性提高。提供一种该等离子体处理装置，其中，该等离子体处理装置包括：圆筒状的腔室，其形成对基板进行处理的处理空间；以及构件，其构成所述腔室的外周，所述构件具有：流路的入口，其至少为一个，供传热介质流入；流路的出口，其至少为一个，供传热介质流出；流路，其至少为一个，将所述入口和所述出口连接，供传热介质流动；以及折返部，其至少为一个，形成于所述流路，所述入口和所述出口靠近地配置，所述流路沿所述构件的圆周方向以360°以内的特定的角度形成。

技术领域

本公开涉及一种等离子体处理装置。

背景技术

例如，专利文献1提案有一种等离子体处理装置，该等离子体处理装置包括：圆筒状的腔室，其具有用于送入基板的开口部；以及闸门，其沿着腔室的内壁配置，在与开口部对应的位置对开口部进行开闭。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2015-126197号公报

发明内容

发明要解决的问题

本公开提供一种使腔室的内壁的温度均匀性提高的技术。

用于解决问题的方案

根据本公开的一技术方案，提供一种等离子体处理装置，其中，该等离子体处理装置包括：圆筒状的腔室，其形成对基板进行处理的处理空间；以及构件，其构成所述腔室的外周，所述构件具有：流路的入口，其至少为一个，供传热介质流入；流路的出口，其至少为一个，供传热介质流出；流路，其至少为一个，将所述入口和所述出口连接，供传热介质流动；以及折返部，其至少为一个，形成于所述流路，所述入口和所述出口靠近地配置，所述流路沿所述构件的圆周方向以360°以内的特定的角度形成。

发明的效果

根据一技术方案，能够使腔室的内壁的温度均匀性提高。

附图说明

图1是表示实施方式的等离子体处理装置的一个例子的剖视示意图。

图2是表示图1中的上部电极和周边的概略结构的放大剖视图。

图3是表示实施方式的闸门构件附近的概略结构的放大剖视图。

图4是表示实施方式的闸门构件的流路构造的一个例子的图。

图5是表示实施方式的闸门构件的流路构造的另一例子的图。

图6是表示实施方式的闸门构件的温度的测量结果的一个例子的图。

具体实施方式

以下，参照附图说明用于实施本公开的形态。在各附图中，对相同的结构部分标注相同的附图标记，有时省略重复的说明。

[等离子体处理装置]

使用图1说明实施方式的等离子体处理装置1。图1是表示实施方式的等离子体处理装置1的一个例子的剖视示意图。图2是表示图1中的上部电极和周边的概略结构的放大剖视图。

在图1中，等离子体处理装置1构成为电容耦合型平行平板等离子体蚀刻装置，例如，该等离子体处理装置1包括由表面进行有铝阳极化处理(阳极氧化处理)的铝形成的圆筒形的腔室(处理室)10，形成对基板进行处理的处理空间。

腔室10接地。在腔室10的底部借助陶瓷等绝缘板11配置有圆柱状的支承板12，在该支承板12之上配置有导电性的、例如由铝等形成的基板支承部13。基板支承部13具有作为下部电极发挥功能的结构，对实施蚀刻处理的基板W、例如半导体晶圆进行载置。