[发明专利]一种集成光源的制备方法

权利要求书

1.一种集成光源的制备方法，其特征在于，包括：

在激光芯片的出光口表面设置微透镜；

在待集成芯片表面设置光耦合部；

将设置有所述微透镜的激光芯片的出光口朝向所述光耦合部设置，使所述激光芯片经所述微透镜整形的光斑与所述光耦合部中预设位置相互对位；

将相互对位的所述激光芯片与所述待集成芯片相互键合以在所述激光芯片与所述待集成芯片之间形成具有预设高度的键合柱，使所述微透镜与所述待集成芯片之间具有光线传播间隙；

所述在激光芯片的出光口表面设置微透镜包括：

在所述激光芯片的出光口表面旋涂溶胶凝胶层；

在所述溶胶凝胶层压紧一模板，使所述溶胶凝胶层溢进所述模板朝向所述溶胶凝胶层设置的微透镜凹槽，所述微透镜凹槽的形状对应所述微透镜；

在压紧所述模板之后，固化所述溶胶凝胶层，以形成所述微透镜。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在待集成芯片表面设置光耦合部包括：

在待集成芯片表面设置一介质层，所述介质层背向所述待集成芯片一侧表面为斜面；

在所述斜面表面设置波导层；

在所述波导层表面刻蚀出耦合光栅；

所述将设置有所述微透镜的激光芯片的出光口朝向所述光耦合部设置，使所述激光芯片经所述微透镜整形的光斑与所述光耦合部中预设位置相互对位包括：

将设置有所述微透镜的激光芯片的出光口朝向所述耦合光栅设置，使所述激光芯片经所述微透镜整形的光斑与所述耦合光栅中预设位置相互对位。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述斜面的倾角的取值范围为6°至12°，包括端点值。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在待集成芯片表面设置一介质层，所述介质层背向所述待集成芯片一侧表面为斜面包括：

在所述待集成芯片表面沉积一介质层；

对所述介质层进行刻蚀，以在所述介质层中预先划分的耦合区域形成斜面。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述介质层厚度的取值范围为1μm至10μm，包括端点值。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述溶胶凝胶层为溶胶凝胶感光层；

所述在压紧所述模板之后，固化所述溶胶凝胶层，以形成所述微透镜包括：

在压紧所述模板之后，对所述溶胶凝胶感光层进行曝光，以将所述溶胶凝胶感光层转换为玻璃态；

在对所述溶胶凝胶感光层进行曝光后剥离模板，以形成所述微透镜。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述键合柱的高度与所述微透镜的焦距相互匹配。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述键合柱的高度的取值范围为20um至1000um，包括端点值。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述在激光芯片的出光口表面设置微透镜之前，还包括：

对所述激光芯片进行清洗。