[发明专利]基于非负块稀疏贝叶斯学习的瞬态脑电源定位方法及系统有效
| 申请号: | 202111203449.4 | 申请日: | 2021-10-15 |
| 公开(公告)号: | CN113995422B | 公开(公告)日: | 2022-11-25 |
| 发明(设计)人: | 胡南;曲铭雯 | 申请(专利权)人: | 苏州大学 |
| 主分类号: | A61B5/369 | 分类号: | A61B5/369;A61B5/372;G06F17/16;G06N7/00;A61B5/00 |
| 代理公司: | 苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙) 32257 | 代理人: | 王广浩 |
| 地址: | 215000 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 基于 非负块 稀疏 贝叶斯 学习 瞬态 电源 定位 方法 系统 | ||
1.基于非负块稀疏贝叶斯学习的瞬态脑电源定位方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1、利用M个电极采集对应于瞬态响应的多通道EEG,采样率为fs,共记录T个采样点,并对其预处理获得M×T维预处理后的多通道EEG数据Y;同时,将皮层划分成NROI个脑区,根据这些脑区将导程场矩L阵划分成各脑区上的子导程场矩阵Ln,n=1,2,...,NROI,并计算各脑区上的空间平滑核矩阵Kn,n=1,2,...,NROI;
S2、利用预处理后的多通道EEG数据Y计算样本协方差矩阵利用样本协方差矩阵各脑区上的子导程场矩阵Ln和各脑区上的空间平滑核矩阵Kn,n=1,2,...,NROI,构造加权样本数据矩阵Z以及平滑脑区基矩阵m=1,2,...,M;
S3、将非负脑区功率稀疏支撑向量α初始化为αinit,并设置迭代参数;
S4、利用加权样本数据矩阵Z、平滑脑区基矩阵以及前一非负脑区功率稀疏支撑向量α计算非负脑区功率系数γ的后验均值向量μγ和后验协方差矩阵Σγ;
S5、根据非负脑区功率系数γ的后验均值向量μγ和后验协方差矩阵Σγ计算非负脑区功率稀疏支撑向量α的更新值αnew;
S6、判断是否满足迭代停止条件:迭代次数n≥Nm或||αnew-α||2/||α||2≤ε,其中||·||2表示l2范数,若不满足则令α=αnew;若是,则回到步骤S4继续进行迭代运算;否则结束迭代,利用加权样本数据矩阵Z、平滑脑区基矩阵m=1,2,...,M以及当前非负脑区功率稀疏支撑向量α的更新值αnew计算非负脑区功率系数γ的一阶矩γ,并联合各脑区上的空间平滑核矩阵Kn,n=1,2,...,NROI计算得到皮层神经元电活动的空间协方差矩阵Σx(γ)。
2.如权利要求1所述的基于非负块稀疏贝叶斯学习的瞬态脑电源定位方法,其特征在于,所述计算各脑区上的空间平滑核矩阵Kn,n=1,2,...,NROI包括:
第n个脑区上的空间平滑核矩阵的计算公式为n=1,2,...,NROI,其中,Hn表示从全脑离散拉普拉斯平滑矩阵H中抽取的对应于第n个脑区的子阵,(·)T表示矩阵转置,(·)-1表示矩阵求逆。
3.如权利要求2所述的基于非负块稀疏贝叶斯学习的瞬态脑电源定位方法,其特征在于,所述全脑离散拉普拉斯平滑矩阵H的计算如下:
对于导程场矩阵L的列所对应的Nv个大脑皮层网格顶点,利用这些顶点的位置和顶点两两之间的连接情况,所得Nv×Nv维全脑离散拉普拉斯平滑矩阵H的计算方法为:其第(i,i)个元素当i≠j且第i个顶点和第j个顶点间有连接时H的第(i,j)个元素当i≠j且第i个顶点和第j个顶点间无连接时H的第(i,j)个元素H[i,j]=0,其中表示与第i个顶点有连接的所有邻居顶点的距离的平均值,表示第i个顶点与跟它有连接的所有邻居顶点的距离的倒数的平均值,Ni表示与第i个顶点有连接的所有邻居顶点的个数,dij表示在第i个顶点和第j个顶点间有连接的情况下这两个顶点间的距离。
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