[发明专利]稳压器电路有效
| 申请号： | 202111197786.7 | 申请日： | 2021-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN113867466B | 公开（公告）日： | 2023-03-14 |
| 发明（设计）人： | 钟佳乐;李佳明 | 申请（专利权）人： | 上海安路信息科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G05F1/56 | 分类号： | G05F1/56 |
| 代理公司： | 上海恒锐佳知识产权代理事务所(普通合伙) 31286 | 代理人： | 黄海霞 |
| 地址： | 200434 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 稳压器 电路 | ||
1.一种稳压器电路，其特征在于，包括：
稳压器主体电路，用于输出稳定电压；以及
分流电路，用于将所述稳压器主体电路流向地的电流拆分，以在空载时降低流向地的电流的大小；
所述稳压器主体电路包括运算放大器、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管和第一NMOS管，所述运算放大器的正相输入端接参考电压，所述运算放大器的反相输入端与所述第一PMOS管的漏极和所述第三PMOS管的源极连接，所述第一PMOS管的源极和所述第二PMOS管的源极接工作电压，所述第一PMOS管的栅极与所述第二PMOS管的栅极、所述第二PMOS管的漏极和所述第一NMOS管的漏极连接，所述第三PMOS管的漏极和所述第一NMOS管的源极连接，所述第一NMOS管的栅极接第一驱动电压；
所述分流电路包括第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管和第四PMOS管，所述第二NMOS管的漏极与所述第三PMOS管漏极连接，所述第二NMOS管的源极接地，所述第二NMOS管的栅极接第二驱动电压，所述第三NMOS管的漏极与所述第一NMOS管的源极连接，所述第三NMOS管的源极接地，所述第三NMOS管的栅极与所述第四NMOS管的栅极和所述第四NMOS管的漏极连接，所述第四NMOS管的源极接地，所述第四NMOS管的漏极和所述第四PMOS管的漏极连接，所述第四PMOS管的栅极与所述第二PMOS管的栅极连接，所述第四PMOS管的源极接工作电压。
2.根据权利要求1所述的稳压器电路，其特征在于，还包括第一电阻和第一电容，所述第三NMOS管的栅极与所述第一电阻的一端和所述第一电容的一端连接，所述第四NMOS管的栅极与所述第一电阻的另一端连接，所述第一电容的另一端接地。
3.根据权利要求1所述的稳压器电路，其特征在于，所述第一PMOS管的宽长比和所述第二PMOS管的宽长比的比值为（M-N）:1，N大于0，M大于N。
4.根据权利要求3所述的稳压器电路，其特征在于，所述第二PMOS管的宽长比与所述第四PMOS管的宽长比的比值为1:（1/N）。
5.根据权利要求4所述的稳压器电路，其特征在于，所述第三NMOS管的宽长比与所述第四NMOS管的宽长比的比值为1:1。
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