[发明专利]一种近红外双波段带通滤光片及其制备方法

说明书

本发明属于光学薄膜技术领域，具体涉及一种近红外双波段带通滤光片及其制备方法，包括基底、设于基底一侧的双带通膜系和设于基底另一侧的AR膜系；所述双带通膜系包括从内往外逐层交替沉积的低折射率膜层和高折射率膜层，以及为低折射率膜层的最外层；所述AR膜系包括从内往外逐层交替沉积的低折射率膜层和高折射率膜层，以及为低折射率膜层的最外层。本发明可以满足800nm‑2000nm近红外具有双波段范围高透射率特性要求；在近红外1000‑1135nm、1370‑1570nm谱段具有高透过率(95％)，且在350‑960nm、1190‑1290nm和1670‑2000nm波段范围内截止(5％)，形成双波段带通滤光片，提高了红外探测信噪比，从而提高红外探测器件识别目标的能力，提高成像清晰度。

技术领域

本发明属于光学薄膜技术领域，具体涉及一种近红外双波段带通滤光片及其制备方法。

背景技术

现有发明涉及的相关制备方法由以下步骤完成：

(1)在基底上单面镀制带通滤光膜

a、清洁基底，并用离子源轰击2min～6min；

b.将基底放入真空室内，抽真空至9×10-3Pa～2×10-4Pa，加热基底至50℃～170℃，保温10min～60min；

c.镀制第1层膜层，对SiO膜料进行预熔，用预熔后的SiO膜料对基底进行离子轰击，真空度为9×10-3Pa～2×10-4Pa，离子轰击电压100V-130V负高压，离击时间为8min-13min；用SiO膜料进行蒸镀，蒸镀时真空室压强为9×10-3Pa～2×10-4Pa，蒸发速率为0.5nm/s-2nm/s，使SiO膜料离子沉积在基底上，采用石英晶体监控的方法确定第1层膜层的厚度；

d.镀制第2层膜层，对Ge膜料进行预熔，用预熔后的Ge膜料对基底进行离子轰击，真空度为9×10-3Pa～2×10-4Pa，离子轰击电压100V-130V负高压，离击时间为8min-13min；用Ge膜料进行蒸镀，蒸镀时真空室压强为9×10-3Pa～2×10-4Pa，蒸发速率为0.5nm/s-2nm/s，使Ge膜料离子沉积在基底上，采用石英晶体监控的方法确定第2层膜层的厚度；

e.依次重复步骤c和步骤d，镀制第3～18层膜层；依次重复步骤d和步骤c，镀制第19～34层膜层；

f.将镀制完成34层膜层的滤光片放置在200℃的真空室内保温2小时，然后冷却至室温后取出单面镀制好带通滤光膜的光学零件；

(2)在基底另一面镀制负滤光膜

a.清洁基底上未镀膜的一面，并用离子源轰击2min～6min；

b.将基底放入真空室内，抽真空至9×10-3Pa～2×10-4Pa，加热基底至50℃～170℃，保温10min～60min；

c.镀制第1层膜层，对SiO膜料进行预熔，用预熔后的SiO膜料对基底进行离子轰击，真空度为9×10-3Pa～2×10-4Pa，离子轰击电压100V-130V负高压，离击时间为8min-13min；用SiO膜料进行蒸镀，蒸镀时真空室压强为9×10-3Pa～2×10-4Pa，蒸发速率为0.5nm/s-2nm/s，使SiO膜料离子沉积在基底上，采用石英晶体监控的方法确定第1层膜层的厚度；

d.镀制第2层膜层，对Ge膜料进行预熔，用预熔后的Ge膜料对基底进行离子轰击，真空度为9×10-3Pa～2×10-4Pa，离子轰击电压100V-130V负高压，离击时间为8min-13min；用Ge膜料进行蒸镀，蒸镀时真空室压强为9×10-3Pa～2×10-4Pa，蒸发速率为0.5nm/s-2nm/s，使Ge膜料离子沉积在基底上，采用石英晶体监控的方法确定第2层膜层的厚度；

e.依次重复步骤c和步骤d，镀制第3～18层膜层；依次重复步骤d和步骤c，镀制第19～24层膜层；重复步骤d，镀制第25层膜层；