[发明专利]一种荧光萘环[3]芳烃无孔自适应晶体及其制备方法与应用

权利要求书

1.一种荧光萘环[3]芳烃无孔自适应晶体，其特征在于，具有以下结构式：

其中，R为直链烷氧基、支链烷氧基、羟基、羧基、酯基中的一种，结构式中的虚线表示主体分子重复单元上的荧光萘环[3]芳烃环状结构。

2.一种权利要求1所述荧光萘环[3]芳烃无孔自适应晶体的制备方法，其特征在于，先制备荧光萘环[3]芳烃，然后再用荧光萘环[3]芳烃培养得到荧光萘环[3]芳烃无孔自适应晶体，荧光萘环[3]芳烃的制备包括如下步骤：

a.在碱性条件下，2,7-二羟基萘和三氟甲磺酸酐室温下搅拌处理得到化合物(1)；

b.将化合物(1)、2,5-二甲氧基苯硼酸溶解在溶剂中，氮气氛围下，搅拌并加入催化剂，加热回流处理，通过Suzuki偶联得到荧光萘环[3]芳烃单体；

c.将荧光萘环[3]芳烃单体溶解在溶剂中，加入催化剂，搅拌处理，通过单体与二甲氧基甲烷缩合反应得到荧光萘环[3]芳烃；

化学反应式如下所示：

3.根据权利要求2所述的荧光萘环[3]芳烃无孔自适应晶体的制备方法，其特征在于，步骤a所述的2,7-二羟基萘与三氟甲磺酸酐的物质的量之比为1:2～1:8；步骤a所述搅拌处理的时间为5～12h。

4.根据权利要求2所述的荧光萘环[3]芳烃无孔自适应晶体的制备方法，其特征在于，步骤b所述溶剂为甲苯、乙醇、蒸馏水混合溶剂或四氢呋喃、蒸馏水混合溶剂；步骤b所述催化剂为四(三苯基膦)钯或二(三苯基膦)氯化钯，步骤b所述的化合物(1)与2,5-二甲氧基苯硼酸的物质的量之比为1:2～1:8；步骤b所述加热回流处理的时间为8～16h。

5.根据权利要求2所述的荧光萘环[3]芳烃无孔自适应晶体的制备方法，其特征在于，步骤c所述的溶剂为氯仿；步骤c所述催化剂为三氟化硼乙醚；步骤c所述的荧光萘环[3]芳烃单体与二甲氧基甲烷的物质的量比为1:2～1:8；步骤c所述搅拌处理的时间为1～4h。

6.根据权利要求2所述的荧光萘环[3]芳烃无孔自适应晶体的制备方法，其特征在于，所述荧光萘环[3]芳烃无孔自适应晶体的培养方法如下：

将荧光萘环[3]芳烃溶于A溶剂中，达到饱和溶液状态后，加入B溶剂，静置，等待溶剂挥发；所述A溶剂为二氯甲烷、四氢呋喃、三氯甲烷中的一种；B溶剂为乙酸乙酯、甲醇、正己烷中的一种；荧光萘环[3]芳烃在A溶剂中浓度为4mmol/L～12mmol/L；荧光萘环[3]芳烃在B溶剂中浓度为8mmol/L～32mmol/L。

7.权利要求1所述的荧光萘环[3]芳烃无孔自适应晶体在制备吸附材料中的应用。

8.根据权利要求7所述的荧光萘环[3]芳烃无孔自适应晶体在制备吸附材料中的应用，其特征在于，荧光萘环[3]芳烃无孔自适应晶体的活化条件为：75℃～150℃真空干燥箱处理5～24h。

9.根据权利要求7所述的荧光萘环[3]芳烃无孔自适应晶体在制备吸附材料中的应用，其特征在于，荧光萘环[3]芳烃无孔自适应晶体吸附客体分子的方法为固-液吸附：将活化的荧光萘环[3]芳烃无孔自适应晶体置于客体分子溶液中，利用荧光萘环[3]芳烃无孔自适应晶体疏水空腔结合客体，再根据紫外吸收值的变化判断其吸附量。

10.根据权利要求7所述的荧光萘环[3]芳烃无孔自适应晶体在制备吸附材料中的应用，其特征在于，荧光萘环[3]芳烃无孔自适应晶体吸附能量匹配的客体分子后会发生能量转移，可构建人工光捕获体系。