[发明专利]一种TPEE声学薄膜及其制备方法

权利要求书

1.一种TPEE声学薄膜，其特征在于，包括托底膜层和TPEE薄膜层，所述托底膜层和所述TPEE薄膜层采用双层共挤流延方式成膜。

2.根据权利要求1所述的TPEE声学薄膜，其特征在于，所述TPEE薄膜层由TPEE粒子制成，所述托底膜层由OPP粒子、PE粒子或TPX粒子中的一种或两种以上制成。

3.根据权利要求1或2所述的TPEE声学薄膜，其特征在于，所述TPEE薄膜层的厚度为0.01～0.2mm，所述托底膜层的厚度为0.03～0.125mm。

4.一种TPEE声学薄膜的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：

(1)原料干燥：将TPEE粒子加入1号挤出机的干燥罐中进行干燥，将OPP粒子、PE粒子或TPX粒子中的一种或两种以上混合物加入2号挤出机的储料罐中进行干燥；

(2)制备双层共挤流延薄膜：控制所述1号挤出机的温度为200～250℃、转速为100～150rpm，控制所述2号挤出机的温度为180～240℃、转速为120～180rpm，控制分配块及模头温度为230～270℃，进行双层共挤流延，得到双层共挤流延薄膜；

(3)制备双层共挤复合膜卷：将所述双层共挤流延薄膜进行废边切除，再进行收卷，控制热辊的处理温度为40～120℃，得双层共挤复合膜卷，即为TPEE声学薄膜。

5.根据权利要求4所述的TPEE声学薄膜的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，所述1号挤出机的干燥罐的干燥温度为100℃、干燥时间为4h。

6.根据权利要求4所述的TPEE声学薄膜的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，所述2号挤出机的储料罐的干燥温度为80～100℃、干燥时间为4h。

7.根据权利要求4所述的TPEE声学薄膜的制备方法，其特征在于，步骤(2)中，所述1号挤出机的螺杆直径为35mm，长径比为40：1～60：1，转速为100～150rpm，温度为200～250℃，挤出量为25～50kg/h。

8.根据权利要求4所述的TPEE声学薄膜的制备方法，其特征在于，步骤(2)中，所述2号挤出机的螺杆直径为35mm，长径比为35：1～48：1，转速为120～180rpm，温度为180～240℃，挤出量为20～45kg/h。

9.根据权利要求4所述的TPEE声学薄膜的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，所述TPEE粒子牌号为7246、6356、5556、7356、G3548或G3078中的一种或两种以上。

10.根据权利要求4所述的TPEE声学薄膜的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，所述TPX粒子为RT18、MX002、MX004、DX820、DX231或DX845中的一种或两种以上。