[发明专利]一种量子点纯化系统及其应用与量子点纯化方法

权利要求书

1.一种量子点纯化系统，其特征在于，所述量子点纯化系统包括用于盛装待纯化量子点溶液的透析膜，所述透析膜的外表面吸附有碳量子点，所述碳量子点的表面连接有第一基团；所述透析膜的孔径小于所述碳量子点的粒径，且所述透析膜的孔径被配置为小于目标量子点的粒径，且所述透析膜的截留分子量被配置为大于杂质配体的分子量，所述杂质配体与所述第一基团的电性相反。

2.根据权利要求1所述的量子点纯化系统，其特征在于，所述透析膜含有第二基团，所述第一基团与所述第二基团的电性相反。

3.根据权利要求2所述的量子点纯化系统，其特征在于，所述透析膜的材料为纤维素，所述第二基团为羟基；或，所述杂质配体为油酸配体。

4.根据权利要求3所述的量子点纯化系统，其特征在于，所述第一基团为氨基或酰胺基。

5.根据权利要求1所述的量子点纯化系统，其特征在于，所述透析膜的截留分子量为3500KD至14000KD。

6.根据权利要求1至5任一项中所述的量子点纯化系统，其特征在于，所述量子点纯化系统还包括用于盛装透析介质的容器，当纯化所述目标量子点时，所述透析膜浸泡于所述透析介质中。

7.一种量子点纯化方法，其特征在于，所述量子点纯化方法包括步骤：

提供浸泡于透析介质中并盛装有待纯化量子点溶液的透析膜，所述透析膜的外表面吸附有碳量子点，所述碳量子点的表面连接有第一基团；

对所述透析介质、所述待纯化量子点溶液和所述透析膜热处理预设时间后，所述透析膜内的溶液即为量子点纯化液；

其中，所述待纯化量子点溶液包括目标量子点和游离的杂质配体，所述透析膜的孔径小于所述碳量子点的粒径，且所述透析膜的孔径小于所述目标量子点的粒径，且述透析膜的截留分子量大于所述杂质配体的分子量，且所述杂质配体与所述第一基团的电性相反。

8.根据权利要求7所述的量子点纯化方法，其特征在于，所述提供浸泡于透析介质中并盛装有待纯化量子点溶液的透析膜，所述透析膜的外表面吸附有碳量子点，所述碳量子点的表面连接有第一基团，包括步骤：

将盛装有待纯化量子点溶液的透析膜浸泡于透析介质中，所述透析膜含有第二基团；

向所述透析介质中加入表面连接有第一基团的碳量子点，所述第一基团与所述第二基团的电性相反。

9.根据权利要求7所述的量子点纯化方法，其特征在于，所述待纯化量子点溶液中量子点选自II-VI族化合物、III-V族化合物和I-III-VI族化合物中的至少一种；所述II-VI族化合物选自CdSe、CdS、CdTe、ZnSe、ZnS、CdTe、ZnTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnTeS、CdSeS、CdSeTe、CdTeS；CdZnSeS、CdZnSeTe和CdZnSTe中的至少一种；所述III-V族化合物选自InP、InAs、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、InAsP、InNP、InNSb、GaAlNP和InAlNP中的至少一种；所述I-III-VI族化合物选自CuInS₂、CuInSe₂和AgInS₂中的至少一种。

10.根据权利要求7所述的量子点纯化方法，其特征在于，所述热处理的温度为100℃至120℃，所述热处理的时间为3h至5h。

11.根据权利要求7所述的量子点纯化方法，其特征在于，所述量子点纯化方法还包括步骤：对所述量子点纯化液进行干燥处理，获得量子点。