[发明专利]一种含有超疏水结构的微流控芯片及其制备方法

权利要求书

1.一种含有超疏水结构的微流控芯片，其特征在于，将芯片范围划分为液滴驱动有效区和非有效区，疏水区的范围包含所述液滴驱动有效区的全部范围和非有效区的部分范围，非有效区的另一部分范围为芯片的外围区域；

在所述液滴驱动有效区内设有液滴驱动电极阵列用于驱动液滴流动，在所述疏水区内设置超疏水结构实现超疏水功能，所述超疏水结构是在液滴驱动电极阵列上方的绝缘层上制备而成，是具有特定形状的表面微米阵列或纳米阵列，实现兼具绝缘和超疏水的功能。

2.根据权利要求1所述的微流控芯片，其特征在于，所述超疏水结构为绝缘层表面微柱阵列，或绝缘层表面微孔阵列，或绝缘层表面蜂窝阵列，或绝缘层表面网格阵列。

3.根据权利要求1所述的微流控芯片，其特征在于，具有特定形状的表面微米阵列或纳米阵列的深度小于绝缘层的厚度。

4.一种如权利要求1所述的含有超疏水结构的微流控芯片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

在芯片基底上依次制作驱动电路、所述液滴驱动电极阵列和绝缘层；

采用光刻技术将特定形状的微米阵列或纳米阵列图形转移到绝缘层上。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，采用光刻技术将特定形状的微米阵列或纳米阵列图形转移到绝缘层上具体为：

在绝缘层上涂覆一层光刻胶；

采用具有特定形状的微米阵列或纳米阵列图形的掩膜版对光刻胶进行曝光、显影、清洗，将具有特定形状的微米阵列或纳米阵列图形转移到光刻胶层；

对绝缘层进行刻蚀处理，将具有特定形状的微米阵列或纳米阵列图形转移到绝缘层；

去除光刻胶层，清洗、烘干。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，光刻胶为正光刻胶或负光刻胶，光刻胶与掩膜版的图形搭配使得曝光显影后保留下来的光刻胶层图形为具有特定形状的微米阵列或纳米阵列图形。

7.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，刻蚀处理采用干法刻蚀，通过刻蚀速率和刻蚀时间控制刻蚀深度，控制刻蚀深度小于绝缘层厚度。

8.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，采用去胶液湿法去除光刻胶层。

9.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，当所述超疏水结构为绝缘层表面微柱阵列时，掩膜版上的单位圆图形的直径范围为1～5μm，单位圆图形之间的距离等于其直径，阵列图形围起来的范围等于疏水区的范围。