[发明专利]并联连接的体声波谐振器及其制造方法、以及电子器件

权利要求书

1.一种并联连接的体声波谐振器，该体声波谐振器包括：

基底；

叠层结构，该叠层结构位于所述基底上且从上至下依次包括上电极、压电层以及下电极；

声反射结构，该声反射结构位于所述叠层结构下方，形成在所述基底内或形成在所述叠层结构和所述基底之间；

所述上电极、所述压电层以及所述下电极位于所述声反射结构上方的重叠区域构成所述叠层结构的有效工作区，其中，所述有效工作区包括主体区域以及至少一个局部区域，每一所述局部区域中的上电极、压电层、下电极中的至少一层其厚度不同于所述主体区域中相应层的厚度，且每一所述局部区域所产生的第一谐振响应的串联谐振频率低于所述主体区域所产生的第二谐振响应的串联谐振频率、或高于所述主体区域所产生的第二谐振响应的并联谐振频率。

2.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其中：

所述主体区域的水平截面的面积小于等于5×10⁴μm²；

所述局部区域的水平截面的面积小于2×10³μm²。

3.根据权利要求1或2所述的体声波谐振器，其中，所述局部区域的水平截面的形状是多边形、环形、圆形或不规则形状。

4.根据权利要求1或2所述的体声波谐振器，其中，所述局部区域的水平截面与所述有效工作区的水平截面形状相同。

5.根据权利要求4所述的体声波谐振器，其中，所述局部区域水平截面的每条边与所述有效工作区水平截面中相应的边平行设置。

6.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其中：

所述有效工作区的边缘形成有声波泄露抑制结构，该声波泄露抑制结构包括凸起的第一框架结构和/或凹陷的第二框架结构。

7.一种并联连接的体声波谐振器的制造方法，该制造方法包括：

基底的提供步骤、叠层结构的形成步骤以及声反射结构的形成步骤，其中，所述叠层结构位于所述基底上，所述声反射结构位于所述叠层结构下方、形成在所述基底内或形成在所述叠层结构和所述基底之间；

所述叠层结构的形成步骤包括：在所述基底上依次形成下电极、压电层以及上电极以构成叠层结构，所述上电极、所述压电层以及所述下电极位于所述声反射结构上方的重叠区域构成所述叠层结构的有效工作区，其中，所述有效工作区包括主体区域以及至少一个局部区域，每一所述局部区域中的上电极、压电层、下电极中的至少一层其厚度不同于所述主体区域中相应层的厚度，且每一所述局部区域所产生的第一谐振响应的串联谐振频率低于所述主体区域所产生的第二谐振响应的串联谐振频率、或高于所述主体区域所产生的第二谐振响应的并联谐振频率。

8.根据权利要求7所述的制造方法，其中：

所述主体区域的水平截面的面积小于等于5×10⁴μm²；

所述局部区域的水平截面的面积小于2×10³μm²。

9.根据权利要求7或8所述的制造方法，其中，所述局部区域的水平截面的形状是多边形、环形、圆形或不规则形状。

10.根据权利要求7或8所述的制造方法，其中，所述局部区域的水平截面与所述有效工作区的水平截面形状相同。

11.根据权利要求10所述的制造方法，其中，所述局部区域水平截面的每条边与所述有效工作区水平截面中相应的边平行设置。

12.根据权利要求7所述的制造方法，该制造方法还包括：

在所述有效工作区的边缘形成声波泄露抑制结构，该声波泄露抑制结构包括凸起的第一框架结构和/或凹陷的第二框架结构。