[发明专利]一种具有手性选择的太赫兹近完美吸收器在审
| 申请号： | 202111175228.0 | 申请日： | 2021-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN113917581A | 公开（公告）日： | 2022-01-11 |
| 发明（设计）人： | 张昆;孔伟金 | 申请（专利权）人： | 青岛大学 |
| 主分类号： | G02B5/00 | 分类号： | G02B5/00;G02F1/01 |
| 代理公司： | 青岛高晓专利事务所(普通合伙) 37104 | 代理人： | 付丽丽 |
| 地址： | 266071 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 具有 手性 选择 赫兹 完美 吸收 | ||
1.一种具有手性选择的太赫兹近完美吸收器，其特征在于，包括垂直于太赫兹波入射方向的周期为2μm×2μm的结构单元，所述结构单元沿太赫兹波入射方向从上到下依次包括第一单层石墨烯条带、第一二氧化硅隔离层、第二单层石墨烯条带、第二二氧化硅隔离层、金反射层和单晶硅衬底，其中，第一单层石墨烯条带长、宽分别为l1＝2μm，w1＝1.7μm，第二单层石墨烯条带长、宽分别为l2＝1.9μm，w2＝0.5μm，第二单层石墨烯条带相对第一单层石墨烯条带左倾斜45°设置。
2.根据权利要求1所述的具有手性选择的太赫兹近完美吸收器，其特征在于，所述结构单元还包括置于第一单层石墨烯条带和第二单层石墨烯条带之上的离子胶层、依次置于第一单层石墨烯条带和第二单层石墨烯条带之下的第三二氧化硅隔离层和单晶硅隔离层，在离子胶层中固定金电极，第一直流电源正、负极分别与第一单层石墨烯条带上下的金电极和单晶硅隔离层相连，第二直流电源正、负极分别与第二单层石墨烯条带上下的金电极和单晶硅隔离层相连。
3.根据权利要求2所述的具有手性选择的太赫兹近完美吸收器，其特征在于，金反射层的厚度为1μm、离子胶层的厚度为0.05μm、第三二氧化硅隔离层的厚度为0.02μm、单晶硅隔离层的厚度为0.05μm。
4.根据权利要求3所述的具有手性选择的太赫兹近完美吸收器，其特征在于，所述第一二氧化硅隔离层的厚度为5.88μm、第二二氧化硅隔离层的厚度为5.88μm。
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