[发明专利]带电粒子束装置

说明书

本发明提供一种带电粒子束装置，其能够抑制数据量的增大，并且缩短方案评价所需的时间。带电粒子束装置具有：显微镜，其对试样扫描带电粒子束，检测从试样释放出的2次粒子来输出检测信号；以及计算机系统，其根据检测信号生成帧图像，进行基于帧图像的图像处理。计算机系统计算多个帧图像间的矩图像，并基于矩图像计算帧图像的特征量数据。

技术领域

本公开涉及带电粒子束装置。

背景技术

半导体装置不断地大规模化、高集成化。另一方面，随着半导体装置的微细化，对于使用带电粒子束的半导体检查装置要求提高半导体装置的测量精度以及检查精度。

作为半导体检查装置之一的扫描电子显微镜(SEM：Scanning ElectronMicroscope)对半导体装置等试样照射电子束，检测从试样释放出的2次电子来生成图像。

另外，作为除此以外的半导体检查装置，例如使用CD-SEM(Critical DimensionSEM，特征尺寸扫描电子显微镜)、DR-SEM(Defect Review SEM，缺陷复检扫描电镜)等。在CD-SEM中，使用扫描电子显微镜进行半导体电路图案的尺寸测量。在DR-SEM中，进行半导体电路的各种缺陷、异物的检查、观察。

例如，在专利文献1中公开了如下方式：基于根据低倍缺陷图像计算出的平均亮度值来生成低倍参照图像，检测这些图像的差异区域来作为缺陷区域。在专利文献2中公开了如下方式：根据多个合格品参照图像求出各亮度平均图像和亮度标准偏差图像，使用基于这些图像而生成的参照图像，由此不受亮度值的大的变动影响地抑制虚拟缺陷的检测。

在专利文献3中记载了计算平均图像和标准偏差图像来检查外观图像的方式。在专利文献4中，记载了取得多个检查对象图像，基于平均图像和标准偏差图像来对检查方案的参照图像进行更新的方式。

当导入新的半导体制造工艺时，为了取得目标测量图案、异物、缺陷图案的图像要制作对装置的处理顺序进行规定的方案。在方案中，需要使包含粒子(例如电子)的加速电压、探头电流、视野尺寸(帧图像的尺寸)、帧累计数的拍摄条件、用于确定目标测量图案的位置的图案识别用参数等最佳化。

但是，为了方案的最佳化，需要在各种拍摄条件下反复执行方案以使拍摄条件以及参数最佳化，因此方案的评价需要很多时间，并且方案评价所涉及的数据量也变大。

专利文献1：日本特开2014-130026号公报

专利文献2：日本特开2005-274157号公报

专利文献3：日本特开2004-185259号公报

专利文献4：日本特开2011-174757号公报

发明内容

因此，本公开的目的在于提供一种能够抑制数据量增大并且缩短方案评价所需的时间的带电粒子束装置。

如下那样简单地说明本申请公开中的代表性的带电粒子束装置的概要。本发明的代表性实施方式的带电粒子束装置具有：显微镜，其对试样扫描带电粒子束，检测从试样释放出的2次粒子来输出检测信号；以及计算机系统，其根据检测信号生成帧图像，进行基于帧图像的图像处理。计算机系统计算多个帧图像间的矩图像，并基于矩图像计算帧图像的特征量数据。

如下那样简单地说明通过本申请公开中的代表性的带电粒子束装置得到的效果。

即，根据本公开的代表性的实施方式，能够抑制数据量的增大，并且能够缩短方案评价所需的时间。

附图说明

图1是表示带电粒子束装置的一例的结构图。

图2说明加权平均图像的生成方法。

图3是表示特征量数据的计算方法的一例的流程图。