[发明专利]一种低功耗宽电压范围振荡器

说明书

本发明公开一种低功耗宽电压范围振荡器，属于模拟电路领域，包括积分电路、缓冲电路和锁存电路。所述积分电路对电流进行积分，使内部的电容进行充放电，产生交替上升或下降的斜坡电压；所述缓冲电路对积分电路产生的斜坡电压进行整形；所述锁存电路将状态锁存，输出时钟频率CLK和CLKN，所述锁存电路将时钟频率CLKN输入至所述积分电路，并重置所述积分电路中的积分电容。本发明的低功耗宽电压范围振荡器结构极简，所占芯片面积小，静态电流低以实现低功耗，当本结构的偏置稳定工作后，即产生时钟频率，工作电压范围广。

技术领域

本发明涉及模拟电路技术领域，特别涉及一种低功耗宽电压范围振荡器。

背景技术

通常来说，张弛振荡器通常是经过电路电流充放电积分产生时钟频率CLK。当前的延迟监控电路、计时电路以及转换电路都需要一个集成在芯片内部的振荡器，用以产生时钟频率CLK进行计时。对于低面积、低功耗低成本的电路中，如加入复杂的振荡器，功耗将极大增加；如加入高精度带修调逻辑的振荡器，面积成本将无法得到控制。

发明内容

本发明的目的在于提供一种低功耗宽电压范围振荡器，以解决背景技术中的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供了一种低功耗宽电压范围振荡器，包括：

积分电路，对电流进行积分，使内部的电容进行充放电，产生交替上升或下降的斜坡电压；

缓冲电路，对积分电路产生的斜坡电压进行整形；

锁存电路，将状态锁存，输出时钟频率CLK和CLKN，所述锁存电路将时钟频率CLKN输入至所述积分电路，并重置所述积分电路中的积分电容。

可选的，所述积分电路包括PMOS管PM11～PM14、NMOS管NM11～NM13、积分电容C11、C12以及偏置电流源IREF；

PMOS管PM11、PMOS管PM12、PMOS管PM14为电流镜像管，PMOS管PM13和NMOS管NM13为开关管；PMOS管PM11、PM12、PM13、PM14的源极均接电源电压VCC，NMOS管NM11、NM12、NM13的源极均接地电位GND，积分电容C11的上极板接电源电压VCC，积分电容C12的下极板接地电位GND；

所述偏置电流源IREF的输入端连接PMOS管PM11的漏极，PMOS管PM11的栅极和漏极均连接PMOS管PM12的栅极和PM14的栅极；PM12的漏极连接NM11的漏极和栅极，NMOS管NM11的栅极连接NM12的栅极，NMOS管NM12的漏极连接开关管PM13的漏极和积分电容C12的上极板，PM13的栅极连接开关管NM13的栅极，NM13的漏极连接PM14的漏极和积分电容C11的下极板；开关管PM13和开关管NM13的栅极同时连接时钟频率CLKN。

可选的，所述缓冲电路包括第一缓冲逻辑和第二缓冲逻辑，第一缓冲逻辑的输入端连接PMOS管PM14的漏极和积分电容C11的下极板；第二缓冲逻辑的输入端连接NMOS管NM12漏极和积分电容C12的上极板。

可选的，所述积分电路包括PMOS管PM21～PM24、NMOS管NM21～NM23、积分电容C_PM、C_NM以及偏置电流源IREF；

PMOS管PM21、PMOS管PM22、PMOS管PM24为电流镜像管，PMOS管PM23和NMOS管NM23为开关管；PMOS管PM21、PM22、PM23、PM24的源极均接电源电压VCC，NMOS管NM21、NM22、NM23的源极均接地电位GND，积分电容C_PM的源极和漏极接电源电压VCC，积分电容C_NM的源极和漏极接地电位GND；