[发明专利]一种树脂及含其的193nm干法光刻胶

说明书

本发明公开了一种树脂及含其的193nm干法光刻胶。该树脂为由式(A)所示的单体、式(B)所示的单体、式(C)所示的单体和式(D)所示的单体聚合得到的共聚物；其中，以重量份数计，式(A)所示的单体的重量份数为42.5‑49.5份，式(B)所示的单体的重量份数为1‑7.5份，式(C)所示的单体的重量份数为0.25‑2.5份，式(D)所示的单体的重量份数为0.25‑2.5份。包含本发明树脂的光刻胶至少具有以下优势：感光性优异，聚焦深度好以及线宽均匀性好。

技术领域

本发明涉及一种树脂及含其的193nm干法光刻胶。

背景技术

光刻技术是指利用光刻材料(特指光刻胶)在可见光、紫外线、电子束等作用下的化学敏感性，通过曝光、显影、刻蚀等工艺过程，将设计在掩膜版上的图形转移到衬底上的图形微细加工技术。光刻材料(特指光刻胶)，又称光致抗蚀剂，是光刻技术中涉及的最关键的功能性化学材料，其主要成分是树脂、光酸产生剂(Photo Acid Generator，PAG)、以及相应的添加剂和溶剂。光酸产生剂是一种光敏感的化合物，在光照下分解产生酸，所产生的酸可使酸敏树脂发生分解或者交联反应，从而使光照部分与非光照部分在显影液中溶解反差增大，可以用于图形微细加工技术领域。

光刻胶的三个重要参数包括分辨率、灵敏度、线宽粗糙度，它们决定了光刻胶在芯片制造时的工艺窗口。随着半导体芯片性能不断提升，集成电路的集成度呈指数型增加，集成电路中的图形不断缩小。为了制作更小尺寸的图形，必须提高上述三个光刻胶的性能指标。根据瑞利方程式，在光刻工艺中使用短波长的光源可以提高光刻胶的分辨率。光刻工艺的光源波长从365nm(I-线)发展到248nm(KrF)、193nm(ArF)、13nm(EUV)。为提高光刻胶的灵敏度，目前主流的KrF、ArF、EUV光刻胶采用了化学放大型光敏树脂。由此，与化学放大型光明树脂相配套的光敏剂(光致产酸剂)被广泛应用在高端光刻胶中。

随着光刻工艺逐渐发展，至193nm干法曝光工艺，工艺复杂程度加大，对抗蚀剂(即光刻胶)提出越来越高的要求。开发能提升分辨率、灵敏度、线宽粗糙度的抗蚀剂，成为行业亟待解决的问题。

发明内容

针对现有技术中存在的上述问题，本发明旨在提供一种树脂及含其的193nm干法光刻胶，包含本发明树脂的光刻胶至少具有以下优势：感光性优异，聚焦深度(DOF)好以及线宽均匀性(CDU)好。

本发明提供了一种树脂，其为由式(A)所示的单体、式(B)所示的单体、式(C)所示的单体和式(D)所示的单体聚合得到的共聚物；

其中，以重量份数计，所述式(A)所示的单体的重量份数为42.5-49.5份，所述式(B)所示的单体的重量份数为1-7.5份，所述式(C)所示的单体的重量份数为0.25-2.5份，所述式(D)所示的单体的重量份数为0.25-2.5份；

其中，R¹为C₁-C₁₀烷基，R²为H或甲基。

在本发明的某一方案中，R¹可以为C₁-C₄烷基，例如甲基。

在本发明的某一方案中，R²可以为甲基。

在本发明的某一方案中，所述式(A)所示的单体可以为

在本发明的某一方案中，以重量份数计，所述式(A)所示的单体的重量份数可以为42.5-46。

在本发明的某一方案中，以重量份数计，所述式(B)所示的单体的重量份数可以为2.5-4。

在本发明的某一方案中，以重量份数计，所述式(C)所示的单体的重量份数可以为0.5-1.25。