[发明专利]一种存储器的数据刷新方法、系统、设备以及介质

说明书

本发明公开了一种存储器的数据刷新方法，包括以下步骤：获取若干个时间调整因子对应的值；判断若干个时间调整因子对应的值是否大于对应的阈值；响应于调整因子对应的值大于阈值，将对应的第一寄存器的值更新为第一预设值；响应于检测到所述对应的第一寄存器中的值更新为第一预设值，将初始刷新时间减小与值大于阈值的调整因子对应的预设值以得到调整刷新时间；根据所述调整刷新时间生成刷新命令并发送到存储器。本发明还公开了一种系统、计算机设备以及可读存储介质。本发明提出的方案通过检测调整因子的数值并与阈值进行比较，从而对存储器的刷新时间进行调整，可有效提高改善芯片在不同环境条件，寿命周期条件下的控制。

技术领域

本发明涉及存储器领域，具体涉及一种存储器的数据刷新方法、系统、设备以及存储介质。

背景技术

众所周知DDR的访问速度快，体积小，价格相比SRAM低，是现代数字设备中的主要部件，负责数据的临时存取。DDR的每个存储单元是由一个FET管和一个电容器构成，通过控制FET的开启和关闭，进行电容器的充电和放电，实现数字存储功能。因FET管的漏电流是其固有特性，导致电容器只能保持很短的时间，必须对DDR数据进行周期性刷新，才能保证存储的数据不丢失。

同一个电子产品的不同个体DDR运行环境温度不尽相同，导致DDR控制器无法合理设置一个统一的刷新时间间隔，若考虑健壮性，DDR控制器选择了一个较小的刷新时间间隔，会严重影响DDR的带宽。从而影响电子产品的使用性能。另外，DDR颗粒个体质量差异和使用年限都会影响到电容保持时间，传统的数据刷新设定不能满足需求，导致数据误码率上升，电子产品性能异常。

但是现有技术中无法根据DDR运行环境温度和产品使用年限对刷新周期进行调整。

发明内容

有鉴于此，为了克服上述问题的至少一个方面，本发明实施例提出一种存储器的数据刷新方法，包括以下步骤：

获取若干个时间调整因子对应的值；

判断若干个时间调整因子对应的值是否大于对应的阈值；

响应于调整因子对应的值大于阈值，将对应的第一寄存器的值更新为第一预设值；

响应于检测到所述对应的第一寄存器中的值更新为第一预设值，将初始刷新时间减小与值大于阈值的调整因子对应的预设值以得到调整刷新时间；

根据所述调整刷新时间生成刷新命令并发送到存储器。

在一些实施例中，响应于检测到所述对应的第一寄存器中的值更新为第一预设值，将初始刷新时间减小与值大于阈值的调整因子对应的预设值以得到调整刷新时间，进一步包括：

响应于检测到所述对应的第一寄存器中的值更新为第一预设值，将对应的第二寄存器中的值更新为第二预设值；

响应于检测到所述对应的第二寄存器中的值为第二预设值，获取对应的第一寄存器中的值；

响应于所述对应的第一寄存器中的值为第一预设值，将初始刷新时间减小与值大于阈值的调整因子对应的预设值以得到调整刷新时间。

在一些实施例中，根据所述调整刷新时间生成刷新命令并发送到存储器，进一步包括：

获取当前带宽；

判断当前带宽是否大于阈值；

响应于大于阈值，根据所述第一刷新时间生成刷新命令并发送到存储器；

响应于不大于阈值，将所述刷新命令舍弃。

在一些实施例中，获取若干个时间调整因子对应的值，进一步包括：

获取存储器的温度和/或所述存储器的误码率。