[发明专利]源极驱动电路及其驱动方法有效
申请号: | 202111153200.7 | 申请日: | 2021-09-29 |
公开(公告)号: | CN113808518B | 公开(公告)日: | 2023-09-26 |
发明(设计)人: | 丁友信;傅春霖;徐伟钧 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | G09G3/20 | 分类号: | G09G3/20 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 黄艳 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 驱动 电路 及其 方法 | ||
本发明公开一种源极驱动电路及其驱动方法,源极驱动电路适用于驱动显示面板的像素阵列,源极驱动电路包含多个正电压晶体管以及多个负电压晶体管。多个正电压晶体管的第一端耦接于多个数据线的一端,多个正电压晶体管的第二端耦接于正电压信号源。多个负电压晶体管的第一端耦接于多个数据线的另一端,多个负电压晶体管的第二端耦接于负电压信号源。多个负电压晶体管的宽/长比小于多个正电压晶体管的宽/长比。
技术领域
本发明涉及一种源极驱动电路及其驱动方法,特别涉及一种不同宽/长比的晶体管设置,使得正负极性源极驱动信号的耦合能有较佳抵销效果的源极驱动电路及其驱动方法。
背景技术
在低温多晶硅(Low Temperature Poly-Silicon,LTPS)显示器产品当中,通常会设置多工器(Multiplexer)来降低所需的输入接点,简化周边电路的设计。制作多工器电路可通过使用互补式金属氧化物半导体(CMOS)的工艺来制作,通过N型晶体管与P型晶体管之间的抵消来抑制噪声。然而,CMOS工艺相较于制作单一类型的晶体管的工艺,例如N型金属氧化物半导体(NMOS)工艺或P型金属氧化物半导体(PMOS)工艺,需要更多的工艺步骤及设备,增加产品工艺上的复杂度,并增加产品成本。
另一方面,显示区域通过源极驱动电路提供源极驱动信号时,会通过多工器的开启顺序来作正负极性信号的切换,进而使得正负耦合量相抵,避免数据线产生噪声(Noise)或是电磁干扰(Electromagnetic Interference,EMI)等问题。不过,对单一类型的晶体管而言,在正负极性的充电特性并不完全相同,在互相抵销的效果上并无法达到所需的要求,上述噪声的干扰可能使得显示器产品的显示品质受到影响。
综观前所述,现有的显示面板在源极驱动电路的设计上仍然具有相当的缺陷,因此,本发明通过设计一种源极驱动电路及其驱动方法,针对现有技术的缺失加以改善,以解决现有技术的问题,进而增进产业上的实施利用。
发明内容
有鉴于上述现有技术的问题,本发明的目的在于提供一种源极驱动电路及其驱动方法,其不同宽/长笔的晶体管分别控制正负极性的源极驱动信号,解决正负极性信号耦合效果不佳的问题。
根据上述目的,本发明的实施例提出一种源极驱动电路,其适用于驱动显示面板的像素阵列,像素阵列包含多个数据线,源极驱动电路包含多个正电压晶体管以及多个负电压晶体管。其中,多个正电压晶体管的第一端耦接于多个数据线的一端,多个正电压晶体管的第二端耦接于正电压信号源。多个负电压晶体管的第一端耦接于多个数据线的另一端,多个负电压晶体管的第二端耦接于负电压信号源。多个负电压晶体管的宽/长比小于多个正电压晶体管的宽/长比。
在本发明的实施例中,多个正电压晶体管的宽/长比可为多个负电压晶体管的宽/长比的4~10倍。
在本发明的实施例中,多个正电压晶体管可包含第一正电压晶体管、第二正电压晶体管、第三正电压晶体管、第四正电压晶体管、第五正电压晶体管及第六正电压晶体管,多个负电压晶体管包含第一负电压晶体管、第二负电压晶体管、第三负电压晶体管、第四负电压晶体管、第五负电压晶体管及第六负电压晶体管。
在本发明的实施例中,第一正电压晶体管与第一负电压晶体管耦接第一数据线的两端,第二正电压晶体管与第二负电压晶体管耦接第二数据线的两端,第三正电压晶体管与第三负电压晶体管耦接第三数据线的两端,第四正电压晶体管与第四负电压晶体管耦接第四数据线的两端,第五正电压晶体管与第五负电压晶体管耦接第五数据线的两端,第六正电压晶体管与第六负电压晶体管耦接第六数据线的两端,第一正电压晶体管、第二负电压晶体管、第三正电压晶体管、第四负电压晶体管、第五正电压晶体管及第六负电压晶体管设置于像素阵列的一侧,第一负电压晶体管、第二正电压晶体管、第三负电压晶体管、第四正电压晶体管、第五负电压晶体管及第六正电压晶体管设置于像素阵列的另一侧。
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