[发明专利]一种直拉法硅单晶新型扩肩方法在审
| 申请号： | 202111152823.2 | 申请日： | 2021-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN115874274A | 公开（公告）日： | 2023-03-31 |
| 发明（设计）人： | 景吉祥;李雪峰;高润飞 | 申请（专利权）人： | 内蒙古中环协鑫光伏材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/22 | 分类号： | C30B15/22;C30B29/06 |
| 代理公司： | 天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 12213 | 代理人： | 栾志超 |
| 地址： | 010070 内蒙古自*** | 国省代码： | 内蒙古;15 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 直拉法硅单晶 新型 方法 | ||
1.一种直拉法硅单晶新型扩肩方法，包括：
实时检测单晶长度和单晶直径，计算所述单晶实际斜率；
将所述单晶实际斜率与所述单晶最优斜率范围进行对比，
若所述单晶实际斜率在所述单晶最优斜率范围内，则所述单晶的实际拉速为设定拉速；
若所述单晶实际斜率不在所述单晶最优斜率范围内，则所述单晶的实际拉速发生变化，为拉速系数z×所述设定拉速，直至所述单晶扩肩完成。
2.根据权利要求1所述的一种直拉法硅单晶新型扩肩方法，其特征在于：所述单晶实际斜率为
其中，k为单晶实际斜率；Δy为单位时间内单晶的实际直径变化；Δx为单位时间内单晶的实际长度变化。
3.根据权利要求1所述的一种直拉法硅单晶新型扩肩方法，其特征在于：所述单晶最优斜率范围为
其中，k优为单晶最优斜率范围；Δy1为单位时间内单晶的最优直径变化范围；Δx1为单位时间内单晶的最优长度变化范围。
4.根据权利要求3所述的一种直拉法硅单晶新型扩肩方法，其特征在于：所述设定拉速为根据实时所述单晶最优斜率范围设定的最优拉速。
5.根据权利要求1所述的一种直拉法硅单晶新型扩肩方法，其特征在于：所述z的范围值为0.7≤z≤1.2。
6.根据权利要求5所述的一种直拉法硅单晶新型扩肩方法，其特征在于：若所述单晶实际斜率大于所述单晶最优斜率范围的最大值，所述单晶的拉速为z×所述设定拉速，其中，所述z的范围值为0.7≤z≤1。
7.根据权利要求5所述的一种直拉法硅单晶新型扩肩方法，其特征在于：若所述单晶实际斜率小于所述单晶最优斜率范围的最大值，所述单晶的拉速为z×所述设定拉速，其中，所述z的范围值为1≤z≤1.2。
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