[发明专利]基板处理方法、基板处理装置和存储介质在审
| 申请号: | 202111146745.5 | 申请日: | 2021-09-28 |
| 公开(公告)号: | CN114326312A | 公开(公告)日: | 2022-04-12 |
| 发明(设计)人: | 田中启一;吉原孝介;近藤良弘;村松诚;小玉辉彦 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号: | G03F7/16 | 分类号: | G03F7/16 |
| 代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳;王昊 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 处理 方法 装置 存储 介质 | ||
1.一种基板处理方法,其特征在于:
在处理容器内,对形成有基于EUV光刻用抗蚀剂材料的抗蚀剂膜的基板的表面,在曝光处理前照射包含真空紫外光的光。
2.如权利要求1所述的基板处理方法,其特征在于:
所述包含真空紫外光的光是包含波长100nm~200nm中所含的至少一部分频带的连续的光谱成分的光。
3.如权利要求1所述的基板处理方法,其特征在于:
所述包含真空紫外光的光相对于所述基板的表面的每单位面积的光量,比在所述曝光处理之后照射所述包含真空紫外光的光的情况下的光量小。
4.如权利要求1所述的基板处理方法,其特征在于:
在所述基板的温度与气氛温度大致同等的状态下进行所述光的照射。
5.如权利要求1所述的基板处理方法,其特征在于:
在对所述处理容器内进行了减压的状态下照射包含所述真空紫外光的光。
6.如权利要求5所述的基板处理方法,其特征在于:
在将所述处理容器内减压到规定的真空度之后,在将所述处理容器内的压力升压至大气压以下的规定的压力的状态下,照射包含所述真空紫外光的光。
7.如权利要求1~6中任一项所述的基板处理方法,其特征在于:
在照射包含所述真空紫外光的光之后,不进行加热处理地进行曝光处理。
8.如权利要求1~6中任一项所述的基板处理方法,其特征在于:
在照射包含所述真空紫外光的光之后且曝光处理之前进行加热处理。
9.如权利要求1~6中任一项所述的基板处理方法,其特征在于:
对进行了包含所述真空紫外光的光的照射的所述基板的表面进行评价,根据其结果来变更对所述基板的处理条件。
10.如权利要求1~6中任一项所述的基板处理方法,其特征在于:
通过使从光源部出射的包含所述真空紫外光的光透过光调节部件,在使各波长的光的强度分布的偏差比透过前小的状态下,对所述基板的表面进行照射。
11.一种计算机可读取的存储介质,其特征在于:
存储有用于使装置执行权利要求1~10中任一项所述的基板处理方法的程序。
12.一种基板处理装置,其特征在于,包括:
处理容器;
光源部,其在所述处理容器内,对形成有基于EUV光刻用抗蚀剂材料的抗蚀剂膜的基板照射包含真空紫外光的光;和
控制部,其控制所述光源部以在所述基板的曝光处理前照射包含所述真空紫外光的光。
13.如权利要求12所述的基板处理装置,其特征在于:
所述包含真空紫外光的光是包含波长100nm~200nm中所含的至少一部分频带的连续的光谱成分的光。
14.如权利要求12所述的基板处理装置,其特征在于:
所述控制部控制所述光源部,以使得包含所述真空紫外光的光相对于所述基板的表面的每单位面积的光量比在所述曝光处理之后照射包含所述真空紫外光的光的情况下的光量小。
15.如权利要求12所述的基板处理装置,其特征在于:
所述控制部对所述光源部进行控制,以使得在所述基板的温度与气氛温度大致同等的状态下进行所述光的照射。
16.如权利要求12所述的基板处理装置,其特征在于:
所述控制部控制所述光源部,以使得在对所述处理容器内进行了减压的状态下照射包含所述真空紫外光的光。
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