[发明专利]一种OLED像素补偿电路及OLED像素补偿方法

说明书

本发明涉及一种OLED像素补偿电路及OLED像素补偿方法，其采用7个薄膜晶体管，1个补偿电容和1个有机发光二极管构成7T1C架构，像素的驱动时序依次分为复位、补偿、数据存储和发光四个阶段，由于第七薄膜晶体管在复位、补偿和数据存储阶段均属于关闭状态，有机发光二极管并不发光，在发光阶段，第七薄膜晶体管属于打开状态，流经有机发光二极管的电流与阈值电压和有机发光二极管的驱动电压无关，采用以上技术方案不仅能够有效补偿驱动薄膜晶体管的阈值电压漂移，还能够补偿有机发光二极管电性恶化引起的亮度变化，提高有机发光二极管的显示品质。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，具体涉及了一种OLED像素补偿电路及OLED像素补偿方法。

背景技术

近年来，有机发光二极管（Organic Light-Emitting Diode，OLED）由于其自发光、高响应速度、广视角、高对比度、低功耗、轻薄、耐高低温及可柔性等特性，广泛的应用于智能手机、电视、移动可穿戴设备和微显示器上。

通常有机发光二极管的发光亮度和电流成正比，而电流是由驱动薄膜晶体管提供的，与驱动薄膜晶体管的特性参数相关。有机发光二极管驱动电流的公式为：I_oled=1/2µ_nC_oxW/L(Vgs-Vth)²,其中µ_n是和驱动薄膜晶体管的电子迁移率有关的参数，C_ox、W/L是和薄膜晶体管的沟道大小有关的参数，Vgs和电源电压与有机发光二极管驱动电压有关。可知影响有机发光二极管电流大小的参数有薄膜晶体管的电子迁移率、阈值电压Vth，有机发光二极管的驱动电压以及电源电压的大小。OLED补偿技术的主要目的就是要消除这些因素的影响，最终让所有像素的亮度达到理想值。

目前OLED 存在一些问题，例如由于低温多晶硅（LTPS，Low Temperature Poly-silicon）和金属氧化物（Metal Oxide）薄膜晶体管的工艺制程的影响，不同位置的薄膜晶体管阈值电压Vth的不均匀性，造成有机发光二极管的电流差异和亮度差异，并被人眼感知，即mura现象，而且有机发光二极管本身也会随着点亮之间的增加亮度逐渐衰减。这些问题难以在工艺上克服，所以亟需在设计上通过补偿来解决。

发明内容

针对现有技术的不足，本发明提供一种不仅能够有效补偿驱动薄膜晶体管的阈值电压漂移，还能够补偿有机发光二极管电性恶化引起的亮度变化，提高有机发光二极管的显示品质的OLED像素补偿电路。

本发明的一种OLED像素补偿电路，采用以下技术方案：其包括：第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、第五薄膜晶体管、第六薄膜晶体管、第七薄膜晶体管、有机发光二极管以及补偿电容；

所述第一薄膜晶体管的漏极接入直流高压电源的传输端，第一薄膜晶体管的栅极接入第一扫描信号传输端，第一薄膜晶体管的源极分别连接所述第二薄膜晶体管的漏极和所述第四薄膜晶体管的漏极；

所述第二薄膜晶体管的栅极接入第二扫描信号传输端，第二薄膜晶体管的源极连接A节点；

所述第三薄膜晶体管的栅极接入第二扫描信号传输端，第三薄膜晶体管的源极连接B节点；

所述第四薄膜晶体管的栅极连接所述A端，第四薄膜晶体管的源极连接C节点；

所述第五薄膜晶体管的栅极接入开关信号传输端，第五薄膜晶体管的漏极连接B节点，第五薄膜晶体管的源极连接有机发光二极管的阳极；

所述第六薄膜晶体管的栅极接入第三扫描信号传输端，第六薄膜晶体管的漏极接入参考电压传输端，第六薄膜晶体管的源极连接C节点；

所述第七薄膜晶体管的栅极接入开关信号传输端，第七薄膜晶体管的漏极连接C节点，第七薄膜晶体管的源极连接有机发光二极管的阳极；

所述补偿电容的两端分别连接A节点和B节点；