[发明专利]一种OLED像素补偿电路及OLED像素补偿方法

权利要求书

1.一种OLED像素补偿电路，其特征在于：其包括：第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、第五薄膜晶体管、第六薄膜晶体管、第七薄膜晶体管、有机发光二极管以及补偿电容；

所述第一薄膜晶体管的漏极接入直流高压电源的传输端，第一薄膜晶体管的栅极接入第一扫描信号传输端，第一薄膜晶体管的源极分别连接所述第二薄膜晶体管的漏极和所述第四薄膜晶体管的漏极；

所述第二薄膜晶体管的栅极接入第二扫描信号传输端，第二薄膜晶体管的源极连接A节点；

所述第三薄膜晶体管的栅极接入第二扫描信号传输端，第三薄膜晶体管的源极连接B节点；

所述第四薄膜晶体管的栅极连接所述A端，第四薄膜晶体管的源极连接C节点；

所述第五薄膜晶体管的栅极接入开关信号传输端，第五薄膜晶体管的漏极连接B节点，第五薄膜晶体管的源极连接有机发光二极管的阳极；

所述第六薄膜晶体管的栅极接入第三扫描信号传输端，第六薄膜晶体管的漏极接入参考电压传输端，第六薄膜晶体管的源极连接C节点；

所述第七薄膜晶体管的栅极接入开关信号传输端，第七薄膜晶体管的漏极连接C节点，第七薄膜晶体管的源极连接有机发光二极管的阳极；

所述补偿电容的两端分别连接A节点和B节点；

所述有机发光二极管的阴极接入公共接地电压传输端。

2.根据权利要求1所述的一种OLED像素补偿电路，其特征在于：所述第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、第五薄膜晶体管、第六薄膜晶体管和第七薄膜晶体管均为N型薄膜晶体管。

3.根据权利要求1所述的一种OLED像素补偿电路，其特征在于：所述第一扫描信号、第二扫描信号、第三扫描信号以及所述开关信号均通过外部时序驱动电路提供。

4.一种OLED像素补偿方法，应用于权利要求1-3任意一种OLED像素补偿电路，其特征在于：其包括：

复位阶段：所述第一扫描信号传输端和第二扫描信号传输端为高电位，所述第三扫描信号传输端和开关信号传输端为低电位，所述第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管和第四薄膜晶体管打开，所述第五薄膜晶体管、第六薄膜晶体管、第七薄膜晶体管关闭，保证有机发光二极管关闭，此时A点电压为直流高压电源的传输端的电压，B点电压为数据信号传输端的电压，此阶段完成A、B点电位的复位；

补偿阶段：第二扫描信号传输端和第三扫描信号传输端为高电位，第一扫描信号传输端和开关信号传输端为低电位，第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管和第四薄膜晶体管和第六薄膜晶体管打开，第一薄膜晶体管、第五薄膜晶体管和第七薄膜晶体管关闭，B点电位不变，仍为数据信号传输端的电压，由于第六薄膜晶体管打开，C点电压为参考电压传输端的电压，A点的起始电压为直流高压电源的传输端的电压，但由于第四薄膜晶体管打开， A点的电压会慢慢降低， A点电压会经第二薄膜晶体管、第四薄膜晶体管和第六薄膜晶体管流向参考电压传输端，当A点和C点电压差等于第四薄膜晶体管的阈值电压时，第四薄膜晶体管关闭，此时A点电压为参考电压传输端电压与阈值电压的和，完成第四薄膜晶体管的阈值电压提取。

5.数据存储阶段：所述第一扫描信号传输端、第二扫描信号传输端、第三扫描信号传输端和开关信号传输端均为低电位，所有的薄膜晶体管均为关闭状态，各点电压保持不变。

6.发光阶段：第二扫描信号传输端和第三扫描信号传输端仍为低电位，第一扫描信号传输端和开关信号传输端为高电位，第一薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、第五薄膜晶体管和第七薄膜晶体打开，第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管和第六薄膜晶体管关闭，此时有机发光二极管处于发光阶段，C点电位为有机发光二极管驱动电压，由于第五薄膜晶体管打开，B点电位为有机发光二极管驱动电压，A点电位会受到补偿电容耦合效应，补偿电容两端在所述补偿阶段和数据存储阶段的电压分别为A点和B点的电压，即A点电压为参考电压传输端电压与阈值电压的和，B点的电压为数据信号传输端电压，当发光时，B点电位为有机发光二极管驱动电压，所以A点电压变为：参考电压传输端电压+阈值电压-数据信号传输端电压+有机发光二极管驱动电压，完成有机发光二极管的补偿。