[发明专利]一种铝电解电容器用中高压化成箔低损耗化成工艺在审
申请号: | 202111130106.X | 申请日: | 2021-09-26 |
公开(公告)号: | CN113921282A | 公开(公告)日: | 2022-01-11 |
发明(设计)人: | 蒋海波;罗静 | 申请(专利权)人: | 内蒙古乌兰察布东阳光化成箔有限公司 |
主分类号: | H01G9/055 | 分类号: | H01G9/055;H01G9/045 |
代理公司: | 宜昌市慧宜专利商标代理事务所(特殊普通合伙) 42226 | 代理人: | 彭娅 |
地址: | 012000 内蒙古自*** | 国省代码: | 内蒙古;15 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 铝电解电容器 高压 化成 损耗 工艺 | ||
本发明涉及中高压化成箔技术领域,特别涉及一种铝电解电容器用中高压化成箔低损耗化成工艺,将电解腐蚀处理后的铝箔在30‑40℃的NaOH碱性溶液中浸渍处理;处理后在60‑90℃的纯水中水合处理;取出后在草酸铵为主溶质的预化成溶液中进行预化成,预化成液中添加乙酸钠、抗坏血酸作为补充添加剂,预化成后用纯水清洗再进行四级化成处理,一级化成液中添加乙酸钠或乙酸铵作为补充添加剂,四级化成液中添加EDTA二钠作为补充添加剂。其效果为化成箔损耗降低40‑50%。本发明降低化成箔损耗需要铝箔表面多孔层不被堵塞,并避免或减少晶型氧化铝成分,大幅度降低氧化膜中的水合氧化铝与晶型氧化铝成分性。
技术领域
本发明涉及中高压化成箔技术领域,涉及一种铝电解电容器用中高压化成箔低损耗化成工艺。
背景技术
铝电解电容器为应用最为广泛的电容器产品,被长期应用于消费、工业、通信等领域,化成箔是制造铝电解电容器的关键原材料,其产业链为:高纯铝-电子铝箔(光箔)-腐蚀箔-化成箔-铝电解电容器-电子整机。化成技术主要是在无机或有机含氧酸中对铝箔表面通过阳极氧化(俗称化成)而得到的一种致密耐电压膜,这层膜的质量关系到铝电解电容器的许多性能指标如电容量、漏电流、损耗、贮存以及使用寿命等等。
随着社会发展与电子行业科技的进步,铝电解电容器根据应用场合细分,对化成箔提出了多样化的要求。以新兴的特殊用途产品频闪灯、交流马达等频繁充放电场合的铝电解电容器为例,这类产品被越来越多应用于军工、航天、汽车工业等行业领域,市场需求量在逐年增加。这类特殊应用场合要求化成箔具备低的损耗性能,从而降低电容器频繁充放电过程中的快速电路温升。但目前这一领域主要被国外厂家占领,国内批量能力有限。目前市场上常规化成箔市场已经趋于饱和且竞争激烈,降低损耗化成工艺可提供新的有市场需求的新产品种类。
铝电解电容器用化成箔是通过对腐蚀扩面后的高纯铝箔进行电化学阳极氧化等一系列化成工艺来制造的,产品特性细分化是化成箔产业顺应电子科技与未来社会需求的技术趋势。在此之前,高压铝电解电容器用化成箔的化成工艺流程是:首先将腐蚀扩面后的高纯铝箔置于90-100℃的去离子水中浸泡6-30分钟,而后进行四级或多级化成处理,化成液采用硼酸与五硼酸铵的组合溶液,去极化处理采用热处理和磷酸处理方法。用这种工艺制成的铝电解电容器用化成箔,表层多孔层多被水合氧化铝堵塞、晶型氧化铝成分较高,损耗达不到特殊应用场合要求,在应用于频繁充放电场合时电路温升较快,限制了充放电次数或时间。
发明内容
为解决上述技术问题,本发明提供一种铝电解电容器用中高压化成箔低损耗化成工艺,通过将电解腐蚀处理后的铝箔在碱性溶液中浸渍处理,去除铝箔表面的天然氧化膜成分,使后续相对传统化成中温度要低的水合处理顺利进行,结合低温水合处理控制铝箔表面多孔层不被堵塞,并避免或减少其氧化膜层向晶型状态转化,之后采用短碳链含氧有机酸进行预化成,采用高浓度硼酸物质进行化成,大幅度降低氧化膜中的水合氧化铝、晶型氧化铝成分,同时一级化成液中添加乙酸钠或乙酸铵作为补充添加剂,四级化成液中添加EDTA二钠作为补充添加剂,通过金属螯合作用保持原有容量特性。用这种方法制成的铝电解电容器用化成箔损耗明显降低,且保持原有容量特性。
本发明提供所采用的技术方案是:
一种铝电解电容器用中高压化成箔低损耗化成工艺,所述工艺包括以下步骤:
S1:将电解腐蚀处理后的铝箔在碱性溶液中浸渍处理;
S2:铝箔浸渍处理后在纯水中水合处理;
S3:水合处理取出后预化成溶液中进行预化成;
S4:用纯水清洗后再进行四级化成处理,完成铝电解电容器用中高压化成箔低损耗化成工艺。
优选地,所述步骤S1中:碱性溶液为NaOH碱性溶液,还可以是KOH、氨水或其他碱性溶液或其组合。
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