[发明专利]一种铝电解电容器用中高压化成箔低损耗化成工艺

权利要求书

1.一种铝电解电容器用中高压化成箔低损耗化成工艺，其特征在于，所述工艺包括以下步骤：

S1：将电解腐蚀处理后的铝箔在碱性溶液中浸渍处理；

S2：铝箔浸渍处理后在纯水中水合处理；

S3：水合处理取出后预化成溶液中进行预化成；

S4：用纯水清洗后再进行四级化成处理，完成铝电解电容器用中高压化成箔低损耗化成工艺。

2.根据权利要求1所述铝电解电容器用中高压化成箔低损耗化成工艺，其特征在于，所述步骤S1中：碱性溶液为NaOH碱性溶液，还可以是KOH、氨水或其他碱性溶液或其组合。

3.根据权利要求1所述铝电解电容器用中高压化成箔低损耗化成工艺，所述步骤S1中：碱性溶液浓度为0.05-2.5g/L，浸渍处理温度为30-40℃，时间0.5-3分钟。

4.根据权利要求1所述的铝电解电容器用中高压化成箔低损耗化成工艺，其特征在于，所述步骤S2中：纯水中水合处理温度为60-90℃，时间为3-15分钟。

5.根据权利要求1中所述的铝电解电容器用中高压化成箔低损耗化成工艺，其特征在于，所述步骤S3中：预化成溶液草酸铵或草酸为主溶质，预化成液中添加乙酸钠、抗坏血酸作为补充添加剂。

6.根据权利要求5中所述的铝电解电容器用中高压化成箔低损耗化成工艺，其特征在于，所述草酸铵或草酸浓度为5-100g/L，乙酸钠浓度为0.2-2g/L，抗坏血酸浓度为0.01-1.0g/L，预化成溶液温度为30-50℃。

7.根据权利要求1中所述的铝电解电容器用中高压化成箔低损耗化成工艺，其特征在于，所述步骤S3中：预化成的条件为电压5-30V，电流密度40-300mA/cm²，预化成时间3-20分钟。

8.根据权利要求1中所述的铝电解电容器用中高压化成箔低损耗化成工艺，其特征在于，所述步骤S4中：一级化成液中添加乙酸钠或乙酸铵作为补充添加剂，四级化成液中添加EDTA二钠作为补充添加剂。

9.根据权利要求8中所述的铝电解电容器用中高压化成箔低损耗化成工艺，其特征在于，一级化成液中添加乙酸钠或乙酸铵浓度为0.1-1.5g/L；四级化成液中添加EDTA二钠浓度为0.05-3g/L。

10.根据权利要求1中所述的铝电解电容器用中高压化成箔低损耗化成工艺，其特征在于，所述工艺具体包括以下步骤：

第一步浸渍：用电解腐蚀处理后的铝箔在30-40℃的NaOH碱性溶液中浸渍0.5-3分钟；NaOH浓度为0.05-2.5g/L；

第二步水合：在60-90℃的纯水中水合处理3-15分钟；

第三步预化成：草酸铵浓度为5-100g/L，乙酸钠浓度为0.2-2g/L，抗坏血酸浓度为0.01-1.0g/L，溶液温度为30-50℃；化成电压5-30V、电流密度40-300mA/cm²，化成时间3-20分钟；

第四步一级化成：硼酸浓度为100-150g/L，乙酸钠浓度为0.1-1.5g/L，五硼酸铵浓度为5-30g/L，槽液温度50-85℃，化成电压100-400V、电流密度10-50mA/cm²，化成时间5-20分钟；

第五步二级化成：硼酸浓度为100-150g/L，五硼酸铵浓度为5-20g/L，槽液温度50-85℃，化成电压200-500V、电流密度10-50mA/cm²，化成时间5-20分钟；

第六步三级化成：硼酸浓度为100-150g/L，五硼酸铵浓度为0.2-5g/L，槽液温度50-85℃，化成电压300-600V、电流密度10-50mA/cm²，化成时间8-30分钟；

第七步四级化成：四级第一次化成硼酸浓度为100-150g/L，EDTA二钠浓度为0.05-3g/L，槽液温度50-85℃，化成电压400-700V、电流密度10-50mA/cm²，化成时间15-60分钟，得到四级第一次化成过的铝箔；

第八步第一次高温处理：将四级第一次化成过的铝箔在200-500℃处理0.5-5分钟；

第九步四级第二次化成：将第一次高温处理过的箔片在硼酸浓度为100-150g/L，EDTA二钠浓度为0.05-3g/L，槽液温度50-85℃，化成电压400-700V、电流密度10-50mA/cm²，化成时间5-15分钟，得到四级第二次化成过的铝箔；

第十步磷酸处理：将四级第二次化成过的箔片在浓度为30-100ml/L的磷酸水溶液中30-60℃浸泡2-12分钟；

第十一步四级第三次化成：将磷酸处理过的箔片在硼酸浓度为100-150g/L，EDTA二钠浓度为0.05-3g/L，槽液温度50-85℃，化成电压400-700V、电流密度10-50mA/cm²，化成时间5-15分钟，得到四级第三次化成过的铝箔；

第十二步第二次高温处理：将四级第三次化成过的铝箔在200-500℃处理0.5-5分钟；

第十三步四级第四次化成：将第二次高温处理过的箔片在硼酸浓度为100-150g/L，EDTA二钠浓度为0.05-3g/L，槽液温度50-85℃，化成电压400-700V、电流密度10-50mA/cm²，化成时间5-15分钟；

将四级第四次化成的箔片经过纯水清洗后在60-150℃下处理2-5分钟。