[发明专利]多面体单晶氧化铝/氮化铝/环氧树脂导热复合材料及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202111124948.4 申请日: 2021-09-25
公开(公告)号: CN113861620A 公开(公告)日: 2021-12-31
发明(设计)人: 陶立纲;李佩悦;张冲;吴建新;周新军;尚德兴 申请(专利权)人: 中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司
主分类号: C08L63/00 分类号: C08L63/00;C08K3/22;C08K3/28;C08K9/06;C09K5/14
代理公司: 安徽省蚌埠博源专利商标事务所(普通合伙) 34113 代理人: 杨晋弘
地址: 233010 安徽*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 多面体 氧化铝 氮化 环氧树脂 导热 复合材料 及其 制备 方法
【说明书】:

发明涉及一种多面体单晶氧化铝/氮化铝/环氧树脂导热复合材料及其制备方法,其特征在于:(1)取D50=18~22um多面体单晶氧化铝粉末20~75份、D50=2~4um氮化铝粉末5~30份、D50=0.3~0.5um多面体单晶氧化铝2~8份,E51环氧树脂10~50份,备用;(2)对多面体单晶氧化铝和氮化铝粉末进行干法改性;(3)将改性后粉末、固化剂及促进剂投到星型磨中进行混合;随后加到真空脱泡机中脱泡;然后进行固化处理。本发明优点:采用三元粒度紧密堆积体系,不仅实现紧密堆积,而且构建了高效连续宽广的热传导通道,降低了界面热阻;制得的环氧树脂复合材料的导热系数在3.0~6.0W/mK,且具有较好的绝缘及力学性能。

技术领域

本发明属于导热绝缘复合材料制备技术领域,具体涉及一种多面体单晶氧化铝/氮化铝/环氧树脂导热复合材料及其制备方法。

背景技术

随着电子电力行业迅速发展,电气电子设备也逐步向高频高速化、高功率密度化、轻便化方向发展,特别是5G通信用芯片,5G高频通信毫米波在具有超高速传输、超低时延及超大连接性能的同时会产生芯片功耗增大、发热量增大的问题,从而加快绝缘介质老化,降低芯片运行的可靠性和寿命。因此芯片热管理成为重要问题,作为5G芯片基板和封装材料,要求提高绝缘介质导热能力与降低介电常数及介质损耗,以达到加快芯片散热和信号传输速度的目的。

环氧树脂具有优良的绝缘性能、耐化学性及粘结强度,被广泛应用于电子绝缘材料。但纯环氧树脂导热性能不佳(导热系数0.18~0.25W/mK),通过复配填充不同结构、形貌及粒度的无机导热填料以有效构筑导热通路,最终改善环氧树脂复合材料的导热性能。目前填充的高导热无机填料主要有球形Al2O3(30.0W/mK)、AlN(319W/mK)及片状/球形h-BN(300-2000),其中h-BN单价较高,综合考虑导热性能、体系粘度、填充量及经济成本,球形Al2O3是目前国内外市场的主流导热填料,一般作为重要的骨架无机导热填料,其环氧树脂导热复合材料的导热系数一般为1.0~3.0W/mK。众所周知,球形氧化铝构建的为点-点接触的导热路径,不利于构建连续宽广的导热通路,导致复合材料的导热性能不佳。

发明内容

本发明的目的是为了解决环氧树脂复合材料导热性能不佳的问题,提供一种多面体单晶氧化铝/氮化铝/环氧树脂导热复合材料及其制备方法;本发明所述复合材料省去了成本较高的氮化硼,而是采用成本较低的氧化铝、氮化铝作为填料,大大降低了复合材料的生产成本;其次,本发明采用三元粒度体系,通过多面体氧化铝与多面体氧化铝、多面体氧化铝与氮化铝之间面-面、线-线的相互搭接方式,替代传统球形氧化铝之间的点—点接触方式,在环氧树脂基体内不仅可以实现紧密堆积,在构建高效连续宽广的热传导通道的同时有效降低界面热阻,最终使热量有效而快速的进行传输。

为了实现上述目的,本发明采用的技术方案如下:

一种多面体单晶氧化铝/氮化铝/环氧树脂导热复合材料,其特征在于由以下重量百分比的原料制成:

一种多面体单晶氧化铝/氮化铝/环氧树脂导热复合材料的制备方法,其特征在于包括如下步骤:

(1)按上述配比称取原料,备用;

(2)改性:对多面体单晶氧化铝和氮化铝粉末,进行干法改性处理;

(3)低速混合:将上述环氧树脂、多面体单晶氧化铝和氮化铝粉末、固化剂及促进剂,投入到星型磨中进行低速(转速:100~300rpm)混合,得到环氧树脂复合浆料A;

(4)真空脱泡:将上述(3)中的环氧树脂复合浆料加入到真空脱泡机(转速:1000~3000rpm)中进行脱泡,得到环氧树脂复合材料浆料B;

(5)浇注—固化:将上述(4)中的环氧树脂复合浆料加入到不锈钢磨具中进行固化处理,得到多面体单晶氧化铝/氮化铝/环氧树脂导热复合材料。

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