[发明专利]低重稀土磁体及制造方法

权利要求书

1.一种低重稀土磁体，由钕铁硼磁体主体合金和扩散源制备而成，其特征在于：所述扩散源为低重稀土扩散源，所述低重稀土扩散源化学式为R_xH_yM_1-x-y，其中R是指Nd，Pr，Ce，La，Ho，Gd中的至少一种，H是指Tb，Dy中的至少一种，M是指Al、Cu、Ga、Ti、Co、Mg、Zn、Sn中至少一种，x,y为重量百分比，其中10％＜x≤50％，40％＜y≤70％，所述低重稀土扩散源结构分布为RH相、RHM相镶嵌均匀分布。

在钕铁硼磁体主体合金表面涂覆所述低重稀土扩散源，并进行扩散和回火处理，得到所述低重稀土磁体，所述低重稀土磁体晶界结构包括主相、R壳层、过渡金属壳层和三角区，所述R壳层，R是指Nd，Pr，Ce，La，Ho，Gd中的至少一种，所述过渡金属壳层，过渡金属是指Cu、Al、Ga中的至少一种，所述三角区具有以下特征：

和或三角区点扫1：Nd_aFe_bR_cM_d，其中R是指Pr，Ce，La，Ho，Gd中的至少一种，M是指Al、Cu、Ga、Ti、Co、Mg、Zn、Sn中至少3种，a,b,c,d为重量百分数，其中30％≤a≤70％，5％≤b≤40％，5％≤c≤35％，0％≤d≤15％；

和或三角区点扫2：Nd_eFe_fR_gH_hK_iM_j，其中R是指Pr，Ce，La中的至少一种，H是指Dy、Tb中的一种，K是指Ho、Gd中的一种，M是指M是指Al、Cu、Ga、Ti、Co、Mg、Zn、Sn中至少3种，e,f,g,h,i,j为重量百分数，其中25％≤e≤65％，5％≤f≤35％，5％≤g≤30％，5％≤h≤30％，5％≤i≤10％，0％≤j≤10％；

和或三角区点扫3：Nd_kFe_lR_mD_nM_o，其中R是指Pr，Ce，La，Ho，Gd中的至少一种，D是指Al、Cu、Ga中至少一种，M是指Ti、Co、Mg、Zn、Sn中至少一种，k,l,m,n,o为重量百分数,其中30％≤k≤70％，5％≤l≤35％，5％≤m≤35％，5％≤n≤25％，0％≤o≤10％。

2.根据权利要求1所述的低重稀土磁体，其特征在于，所述钕铁硼主体合金由钕铁硼合金原料、低熔点粉料和其他添加剂混合制备而成，所述钕铁硼合金原料成分含有稀土R重量百分比为28％≤R≤30％，R是指Nd，Pr，Ce，La，Tb，Dy中至少两种混合，B重量百分比为0.8％≤B≤1.2％，Gd重量百分比为0％≤Gd≤5％，Ho重量百分比为0％≤Ho≤5％，M百分比为0％≤M≤3％，其中M是指Co、Mg、Ti、Zr、Nb、Mo中至少一种，剩余成分为Fe，所述的低熔点粉料含有NdCu、NdAl和NdGa，各成分重量百分比为0％≤NdCu≤3％，0％≤NdAl≤3％，0％≤NdGa≤3％。

3.根据权利要求1所述的低重稀土磁体，其特征在于：所述低重稀土磁体厚度为0.3-6mm。

4.一种权利要求1所述低重稀土磁体制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1、将配制好的钕铁硼合金原料经熔炼、速凝薄片，制得钕铁硼合金薄片，将所述钕铁硼合金薄片进行机械破碎，破碎为150-400μm的鳞片状钕铁硼合金薄片；

S2、将所述鳞片状钕铁硼合金薄片、低熔点粉料、润滑剂进行机械混合搅拌，然后放入氢处理炉进行吸氢和脱氢处理，经气流磨制备钕铁硼粉末；

S3、将上述粉末压制成型，烧结得到所需的钕铁硼磁体主体合金。

S4、将烧结后的所述钕铁硼磁体主体合金进行机械加工为所需形状，然后通过涂覆的方式在所述钕铁硼磁体主体垂直或平行于C轴方向面形成低重稀土扩散源薄膜；

S5、进行扩散、时效处理，制得低重稀土磁体。