[发明专利]一种基于石墨烯电极的铌酸锂超表面空间光调制器在审
| 申请号： | 202111120549.0 | 申请日： | 2021-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN113900281A | 公开（公告）日： | 2022-01-07 |
| 发明（设计）人： | 张检发;陈星桥;孟启;徐威;朱志宏;袁晓东;秦石乔 | 申请（专利权）人： | 中国人民解放军国防科技大学 |
| 主分类号： | G02F1/03 | 分类号： | G02F1/03 |
| 代理公司： | 池州优佐知识产权代理事务所(普通合伙) 34198 | 代理人： | 刘尔才 |
| 地址： | 410073 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 石墨 电极 铌酸锂超 表面 空间 调制器 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于石墨烯电极的铌酸锂超表面空间光调制器，包括入射光栅层、顶部电极、波导层、基底和底部电极，其特征在于，所述入射光栅层水平设置于顶部电极的上方，所述顶部电极与波导层的顶部固定连接，所述波导层设置于基底的顶部，所述底部电极与基底的底部固定连接。
2.根据权利要求1所述的一种基于石墨烯电极的铌酸锂超表面空间光调制器，其特征在于，所述入射光栅层由有机玻璃构成。
3.根据权利要求1所述的一种基于石墨烯电极的铌酸锂超表面空间光调制器，其特征在于，所述顶部电极为单层石墨烯。
4.根据权利要求1所述的一种基于石墨烯电极的铌酸锂超表面空间光调制器，其特征在于，所述波导层为铌酸锂薄膜层。
5.根据权利要求1所述的一种基于石墨烯电极的铌酸锂超表面空间光调制器，其特征在于，所述基底为二氧化硅层。
6.根据权利要求1所述的一种基于石墨烯电极的铌酸锂超表面空间光调制器，其特征在于，所述底部电极为Au层。
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