[发明专利]一种兼具能量供给的二维声子晶体型声屏障

权利要求书

1.一种兼具能量供给的二维声子晶体型声屏障，其特征在于，包括连续的物理基体相、分离设置的分散相和缺陷态填充相，所述分散相和缺陷态填充相均固定在物理基体相上，所述分散相按二维周期性阵列分布，该二维周期性阵列中设有缺陷态通道，所述缺陷态填充相位于该缺陷态通道内，所述物理基体相为轻质材料，所述分散相为重质材料，所述缺陷态填充相为声能转化收集装置。

2.根据权利要求1所述的一种兼具能量供给的二维声子晶体型声屏障，其特征在于，所述二维周期性阵列中还设有空缺区域，所述分散相和缺陷态填充相均分布在该空缺区域的外侧。

3.根据权利要求2所述的一种兼具能量供给的二维声子晶体型声屏障，其特征在于，所述空缺区域为点区域或线区域，所述点区域包括单点区域和多点区域。

4.根据权利要求1所述的一种兼具能量供给的二维声子晶体型声屏障，其特征在于，所述物理基体相采用硫化硅胶。

5.根据权利要求1所述的一种兼具能量供给的二维声子晶体型声屏障，其特征在于，所述分散相为亚克力柱状结构。

6.根据权利要求5所述的一种兼具能量供给的二维声子晶体型声屏障，其特征在于，所述二维声子晶体型声屏障还包括顶板和底板，所述物理基体相安装在底板上，所述顶板的一侧套有设有孔洞的吸声棉，所述孔洞与所述分散相的分布相配合，所述分散相的一端固定在所述孔洞内；所述顶板和底板均为亚克力板。

7.根据权利要求1所述的一种兼具能量供给的二维声子晶体型声屏障，其特征在于，所述声能转化收集装置为基于压电材料的振动传感器。

8.根据权利要求7所述的一种兼具能量供给的二维声子晶体型声屏障，其特征在于，所述压电材料包括偏聚氟乙烯PVDF、钛酸钡BT、锆钛酸铅PZT、改性锆钛酸铅、偏铌酸铅、铌酸铅钡锂PBLN和改性钛酸铅PT。

9.根据权利要求1所述的一种兼具能量供给的二维声子晶体型声屏障，其特征在于，所述缺陷态通道为L型通道，该L型通道具体为，在所述二维周期性阵列中形成分别连接两边的L字形通道。

10.根据权利要求1所述的一种兼具能量供给的二维声子晶体型声屏障，其特征在于，所述缺陷态通道为Z型通道，该Z型通道具体为，在所述二维周期性阵列中形成分别连接两边的Z字形通道。