[发明专利]一种超高频射频电阻器

权利要求书

1.一种超高频射频电阻器,其特征在于：所述超高频射频电阻器包括金属散热基板、金刚石基板、氮化钽电阻层、封装层、引出脚片，所述金刚石基板的底部真空蒸镀上一层金属镀层，所述金属散热基板与所述金刚石基板之间添加微量汞复合；

所述金刚石基板底部设有一圈凹槽，所述金属散热基板在所述凹槽对应的位置设有一圈凸起棱，所述凸起棱内部以微量汞填充并形成一体合金，所述凸起棱外部填充导热硅脂；

所述导热硅脂为可交联固化并吸收固定汞的导热硅脂，其配方为：端羟基硅油15～20份，端侧环氧硅油1～3份，导热硅油10～15份，聚硅氧烷3～5份，硅烷偶联剂1～2份，纳米蒙脱土8～10份；

所述纳米蒙脱土经进一步改性，其制备方法为：

（1）将纳米蒙脱土分散于质量倍数3～5倍的90%乙醇中，加入纳米蒙脱土质量20%～30%的多硫化物，加热至80℃～85℃，回流插层4h～6h；

（2）蒸出乙醇，并补充纳米蒙脱土质量倍数1～2倍的水，加入稀盐酸调节pH至5.0～5.5，然后加入纳米蒙脱土质量5%～10%的硅烷偶联剂，反应完成后烘干分散，制得改性纳米蒙脱土。

2.根据权利要求1所述的超高频射频电阻器,其特征在于：所述金属散热基板为镀金紫铜板。

3.根据权利要求1所述的超高频射频电阻器,其特征在于：所述金属镀层材质为铜或银或金。

4.根据权利要求1所述的超高频射频电阻器,其特征在于：所述纳米蒙脱土粒径为20nm～50nm。

5.根据权利要求1所述的超高频射频电阻器,其特征在于：所述多硫化物为双（3-三乙氧基硅基丙基）二硫化物或双（3-三乙氧基硅基丙基）四硫化物。

6.根据权利要求1所述的超高频射频电阻器,其特征在于：所述硅烷偶联剂为KH580或KH590。