[发明专利]测量硼中子俘获治疗照射束不同辐射成分空间分布的装置

权利要求书

1.一种用于测量硼中子俘获治疗照射束不同辐射成分空间分布的装置，其特征在于，包括探测单元、二维移动平台和电子学系统；

所述探测单元包括热中子探测器、超热中子探测器、快中子探测器和γ射线探测器，分别用于探测硼中子俘获治疗照射束中热中子、超热中子、快中子和γ射线四种辐射成分；

所述探测单元设置在所述二维移动平台上，通过上位机软件控制所述二维移动平台按预设程序移动，实现自动化测量；

所述电子学系统包括前放模块、高压电源模块及多通道数据采集模块，与所述探测单元连接，实现硼中子俘获治疗物理剂量学测量。

2.根据权利要求1所述的用于测量硼中子俘获治疗照射束不同辐射成分空间分布的装置，其特征在于，所述热中子探测器、超热中子探测器和快中子探测器均包括探测器、用于将中子转化为可探测带电粒子的中子-带电粒子转换体，以及设置在所述探测器和所述中子-带电粒子转换体之间的限制光阑，整体封装在铝壳内。

3.根据权利要求2所述的用于测量硼中子俘获治疗照射束不同辐射成分空间分布的装置，其特征在于，所述热中子探测器、超热中子探测器和快中子探测器的探测器表面设置有陶瓷衬底封装，所述中子-带电粒子转换体表面设置有高纯铝底衬。

4.根据权利要求3所述的用于测量硼中子俘获治疗照射束不同辐射成分空间分布的装置，其特征在于，所述限制光阑用于控制所述探测器的计数率避免电子学系统过载。

5.根据权利要求2所述的用于测量硼中子俘获治疗照射束不同辐射成分空间分布的装置，其特征在于，所述γ射线探测器的结构只包括所述探测器。

6.根据权利要求2-5任一项所述的用于测量硼中子俘获治疗照射束不同辐射成分空间分布的装置，其特征在于，所述探测器采用高纯单晶金刚石半导体材料，灵敏面积为3.6mm*3.6mm。

7.根据权利要求6任一项所述的用于测量硼中子俘获治疗照射束不同辐射成分空间分布的装置，其特征在于，所述热中子探测器和超热中子探测器的中子-带电粒子转换体材料为蒸镀法制备的⁶LiF薄膜。

8.根据权利要求7所述的用于测量硼中子俘获治疗照射束不同辐射成分空间分布的装置，其特征在于，所述超热中子探测器的外表面还覆盖有一层1mm厚的镉，所述镉设置在所述铝壳的外侧面和所述高纯铝底衬的前端面。

9.根据权利要求6所述的用于测量硼中子俘获治疗照射束不同辐射成分空间分布的装置，其特征在于，所述快中子探测器的中子-带电粒子转换体材料为聚乙烯薄膜。

10.根据权利要求1所述的用于测量硼中子俘获治疗照射束不同辐射成分空间分布的装置，其特征在于，所述二维移动平台的移动精度小于0.1mm。