[发明专利]一种高抑制带通滤波器

说明书

一种高抑制带通滤波器，包括滤波器主体，滤波器主体包括：谐振腔；多个YIG基片，间隔设于谐振腔内，YIG基片包括GGG基片以及覆设于YIG基片两面的YIG薄膜；多个隔板，设于谐振腔内，相邻两个YIG基片之间有一个隔板，隔板与相邻两个YIG基片均具有预定间距，隔板中部具有矩形通孔，YIG基片的YIG薄膜正对矩形通孔设置；射频输入端，设于谐振腔一端，与靠近射频输入端的YIG基片的朝向射频输入端一面的YIG薄膜连接；射频输出端，设于谐振腔另一端，与靠近射频输出端的YIG基片的朝向射频输出端一面的YIG薄膜连接。通过谐振腔结构设计，以薄膜谐振子替代小球谐振子，实现一定频段范围中心频率可调，具有高带外抑制、高选择性，结构简单、易装配。

技术领域

本发明属于射频微波技术领域，具体涉及一种高抑制带通滤波器。

背景技术

与其他滤波器相比，YIG（钇铁石榴石）调谐滤波器主要有以下优点：在外加偏置磁场的作用下，可以在多个倍频程范围内实现中心频率可调，频率与磁场大小有良好的线性关系，带外抑制及选择性高，能够有效抑制输入信号的镜像频率和多重响应。

传统的YTF，一般采用YIG小球作为谐振子，利用铁磁共振原理，通过多个YIG小球级联实现。微波应用中，都要求高度抛光以及形状均匀的小球，增加了加工难度；同时，对多个YIG小球需要进行同调定向，才能与对应的耦合电路和磁场配合得到性能良好的滤波器。

发明内容

针对上述相关现有技术不足，本发明提供一种高抑制带通滤波器，通过谐振腔结构设计，以薄膜谐振子替代小球谐振子，能够实现一定频段范围中心频率可调，同时具有高带外抑制、高选择性的优点以及结构简单和易装配的特点。

为了实现本发明的目的，拟采用以下方案：

一种高抑制带通滤波器，包括滤波器主体，滤波器主体包括：

谐振腔；

YIG基片，有多个，间隔设于谐振腔内，沿谐振腔长度方向垂直设置，YIG基片包括GGG基片以及覆设于YIG基片两面的YIG薄膜；

隔板，有多个，设于谐振腔内，且与YIG基片平行设置，相邻两个YIG基片之间具有一个隔板，隔板与相邻两个YIG基片具有预定间距，隔板中部具有矩形通孔，YIG基片的YIG薄膜正对矩形通孔设置；

射频输入端，设于谐振腔长度方向一端，并与靠近射频输入端的YIG基片的朝向射频输入端一面的YIG薄膜连接；

射频输出端，设于谐振腔长度方向另一端，并与靠近射频输出端的YIG基片的朝向射频输出端一面的YIG薄膜连接。

进一步，滤波器主体处于外置磁场中，外置磁场的两个磁极位于滤波器主体的两侧，并平行于YIG基片所在平面。

进一步，谐振腔内设有基片支架，基片支架顶面沿长度方向阵列设有多个基片安装槽，YIG基片下部配合于基片安装槽内。基片支架的两侧沿长度方向阵列设有多个侧卡槽，相邻两个基片安装槽之间具有一个侧卡槽，隔板装配于侧卡槽。

进一步，与射频输入端连接的YIG薄膜以及与射频输出端连接的YIG薄膜上均溅射形成有圆形金属电极，射频输入端和射频输出端均采用射频绝缘子，射频绝缘子的针分别通过导电胶与对应的圆形金属电极连接。

本发明的有益效果在于：

1、利用YIG薄膜作为可调带通滤波器的谐振子，代替了传统的YIG小球，不需要进行谐振子的定向，同时YIG薄膜的制备相对于YIG小球的制备更加容易，降低了对工艺的要求，提升了滤波器的调试效率。

2、本发明中，利用YIG薄膜之间的耦合形成了可调带通滤波器，替代了传统结构中YIG小球利用金属环耦合结构实现滤波器的方法，不需要加工和焊接精细结构及小尺寸的金属环，工艺人员在组装滤波器效率更高，更容易实现滤波器的批量化生产。