[发明专利]深微阱设计及其制造方法

权利要求书

1.一种装置，包括：

浮动栅极结构，形成于栅极介电质上；所述浮动栅极结构包括：

多个图案化的浮动栅极导体层，形成在至少一层介电材料中；以及

最上方的浮动栅极导体层，其耦合到反应区；

阱结构，设置在所述浮动栅极结构上方并限定所述反应区，所述阱结构在所述浮动栅极结构的上表面之上限定阱，所述阱结构包括阱壁；和

导电层，覆盖在所述最上方的浮动栅极导体层上，并且至少部分地沿着所述阱壁延伸。

2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述装置还包括设置在所述阱结构上方并限定通向所述阱的开口的介电结构。

3.根据权利要求2所述的装置，其中，所述阱结构与所述介电结构之间的界面处的所述阱的特征直径大于所述界面处的所述开口的特征直径。

4.根据权利要求2所述的装置，其中，所述阱结构与所述介电结构之间的界面处的所述阱的特征直径约等于所述界面处的所述开口的特征直径。

5.根据权利要求1所述的装置，其中，所述阱结构包含硅的氧化物或硅的氮化物。

6.根据权利要求1所述的装置，其中，所述阱结构包含至少一层硅的氧化物层和一层硅的氮化物。

7.根据权利要求2所述的装置，其中，所述介电结构包含硅的低温氧化物。

8.根据权利要求1所述的装置，其中，所述导电层包含金属。

9.根据权利要求8所述的装置，其中，所述金属选自由铝、铜、镍、钛、银、金、铂、铪、镧、钽、钨、铱、锆、钯及其组合组成的组。

10.根据权利要求1所述的装置，其中，所述浮动栅极结构包括在上表面处并与导电层接触的势垒层。