[发明专利]一种压力传感器在审
申请号: | 202111085998.6 | 申请日: | 2021-09-16 |
公开(公告)号: | CN113790833A | 公开(公告)日: | 2021-12-14 |
发明(设计)人: | 谢英;孙成亮;刘炎 | 申请(专利权)人: | 武汉敏声新技术有限公司 |
主分类号: | G01L1/16 | 分类号: | G01L1/16;G01L9/08;B81B7/02 |
代理公司: | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人: | 崔熠 |
地址: | 430205 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 压力传感器 | ||
1.一种压力传感器,其特征在于,包括衬底层以及设置于所述衬底层上表面的压电堆叠结构,在所述衬底层上表面设置有凹槽,所述凹槽与所述压电堆叠结构之间形成密闭的第一腔体,在所述衬底层内部还形成有密闭的第二腔体,所述第二腔体与所述第一腔体间隔且位于所述第一腔体下,其中,所述第一腔体的压强大于所述第二腔体的压强。
2.根据权利要求1所述的压力传感器,其特征在于,所述第一腔体的压强在0-1大气压之间,所述第二腔体的压强为0大气压。
3.根据权利要求1所述的压力传感器,其特征在于,所述第一腔体的底面与所述第二腔体的顶面相互平行。
4.根据权利要求1所述的压力传感器,其特征在于,所述第一腔体与所述第二腔体之间通过薄膜间隔。
5.根据权利要求4所述的压力传感器,其特征在于,所述薄膜厚度在2-20um之间。
6.根据权利要求1所述的压力传感器,其特征在于,所述第一腔体在所述衬底层底面上的投影中心与所述第二腔体在所述衬底层底面上的投影中心重合。
7.根据权利要求1所述的压力传感器,其特征在于,所述压电堆叠结构包括自下而上依次层叠设置的底电极、压电层和顶电极,所述顶电极的外边缘为曲线。
8.根据权利要求7所述的压力传感器,其特征在于,所述底电极的外边缘为曲线。
9.根据权利要求8所述的压力传感器,其特征在于,所述底电极与所述顶电极的外边缘形状相同。
10.根据权利要求7所述的压力传感器,其特征在于,所述顶电极和所述底电极均为薄膜电极。
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