[发明专利]一种双BOOST冷启动电路及冷启动电路系统在审
| 申请号: | 202111075338.X | 申请日: | 2021-09-14 |
| 公开(公告)号: | CN113708480A | 公开(公告)日: | 2021-11-26 |
| 发明(设计)人: | 任中福;钟庭欢 | 申请(专利权)人: | 易事特集团股份有限公司 |
| 主分类号: | H02J9/06 | 分类号: | H02J9/06;H02J7/34 |
| 代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 骆英静 |
| 地址: | 523808 广东省东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 boost 冷启动 电路 系统 | ||
1.一种双BOOST冷启动电路,其特征在于,所述电路包括第三隔离二极管D3、第四隔离二极管D4、第五隔离二极管D5、第六隔离二极管D6、第七隔离二极管D7、第八隔离二极管D8、第三电容C3、电磁式继电器RLY1以及用于驱动所述电磁式继电器RLY1的继电器驱动电路;其中,
所述第三隔离二极管D3的正极与直流母线的正极电性连接,所述第三隔离二极管D3的负极与所述第三电容C3的正极电性连接;
所述第五隔离二极管D5的正极与电池的正极电性连接,所述第五隔离二极管D5的负极与所述第三电容C3的正极电性连接;
所述第七隔离二极管D7的正极与市电输入的L线电性连接,所述第七隔离二极管D7的负极与所述第三电容C3的正极电性连接;
所述第八隔离二极管D8的正极与旁路输入的L线电性连接,所述第八隔离二极管D8的负极与所述第三电容C3的正极电性连接;
所述第四隔离二极管D4的正极与所述第三电容C3的负极电性连接,所述第四隔离二极管D4的负极与市电输入的N线电性连接;
所述第六隔离二极管D6的正极与所述第三电容C3的负极电性连接,所述第六隔离二极管D6的负极通过所述电磁式继电器RLY1的常闭端与电池的负极连接。
2.根据权利要求1所述的双BOOST冷启动电路,其特征在于,所述第三电容C3为辅助电源中开关变压器T1的原边输入电解电容。
3.根据权利要求2所述的双BOOST冷启动电路,其特征在于,所述辅助电源还包括第三MOSFET开关管Q3和原边限流采样电阻R1;
所述第三电容C3的正极与所述开关变压器T1的原边的正极连接,所述第三电容C3的负极接地;
所述第三MOSFET开关管Q3的漏极与所述开关变压器T1的原边的负极连接,所述第三MOSFET开关管Q3的源极与所述原边限流采样电阻R1串联后接地,所述第三MOSFET开关管Q3的栅极悬空。
4.根据权利要求3所述的双BOOST冷启动电路,其特征在于,所述第三MOSFET开关管Q3为N沟道MOSFET开关管。
5.根据权利要求1所述的双BOOST冷启动电路,其特征在于,所述继电器驱动电路由DSP控制。
6.一种双BOOST冷启动电路系统,其特征在于,所述系统包括第一晶闸管S1、第二晶闸管S2、第三晶闸管S3、第一PFC电感L1、第二PFC电感L2、第一IGBT单管Q1、第二IGBT单管Q2、第一功率二极管D1、第二功率二极管D2、第一电容C1、第二电容C2以及如权利要求1~5中的任一项所述双BOOST冷启动电路;
所述第一晶闸管S1的负极通过所述第一PFC电感L1与所述第一功率二极管D1的正极电性连接,所述第一晶闸管S1的正极与市电输入的L线电性连接;
所述第一功率二极管D1的负极与直流母线的正极电性连接;
所述第二晶闸管S2的负极与市电输入的L线电性连接,所述第二晶闸管S2的正极通过所述第二PFC电感L2与所述第二功率二极管D2的负极电性连接;
所述第二功率二极管D2的正极通过所述第二电容C2与市电输入的N线电性连接;
所述第一电容C1电性连接在直流母线的正极与市电输入的N线之间;
所述第三晶闸管S3的负极电性连接在所述第一晶闸管S1的负极与所述第一PFC电感L1之间,所述第三晶闸管S3的正极与电池的正极电性连接;
所述电池的负极电性连接在所述第二晶闸管S2的正极与所述第二PFC电感L2之间;
所述第一IGBT单管Q1的漏极电性连接在所述第一PFC电感L1与所述第一功率二极管D1的正极之间,所述第一IGBT单管Q1的源极与市电输入的N线电性连接,所述第一IGBT单管Q1的栅极悬空;
所述第二IGBT单管Q2的漏极与市电输入的N线电性连接,所述第二IGBT单管Q2的源极电性连接在所述第二PFC电感L2与所述第二功率二极管D2的负极之间,所述第二IGBT单管Q2的栅极悬空。
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