[发明专利]介电材料、有机晶体管及其制备方法

权利要求书

1.一种介电材料的制备方法，其特征在于，包括以下操作：以一种金属单质作为靶材，采用磁控溅射工艺对所述靶材进行处理，并在处理过程中通入反应气体和溅射气体，处理设定时间后即得到所述介电材料；所述金属单质为Al；所述反应气体为高纯氧气；所述反应气体与溅射气体的体积比为2：5。

2.根据权利要求1所述的介电材料的制备方法，其特征在于，采用磁控射频溅射工艺对靶材进行处理，工作压强为（0.1~10）Pa，工作功率为（50~1000）W，沉积速率为0.1~100 Å/min。

3.根据权利要求1所述的介电材料的制备方法，其特征在于，所述介电材料的制备温度在室温至300摄氏度之间。

4.一种介电材料，其特征在于，所述介电材料通过权利要求1-3任一项所述的制备方法制备得到。

5.一种有机晶体管，包括自下至上依次设置的基底、介电层、有机半导体层和电极，其特征在于，所述介电层的材料为权利要求4所述的介电材料或权利要求1-3任一项所述的制备方法制得的介电材料。

6.根据权利要求5所述的有机晶体管，其特征在于，所述介电层的厚度为30~100 nm。

7.一种权利要求5或6所述的有机晶体管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

（1）准备基底；

（2）在所述基底上通过磁控溅射工艺沉积介电层，得到带有介电层的样品；

（3）在所述带有介电层的样品上制备有机半导体层，得到中间产品；

（4）在所述中间产品表面制备电极，即得到所述有机晶体管。

8.根据权利要求7所述的有机晶体管的制备方法，其特征在于，步骤（3）中所述有机半导体层通过在介电层表面涂覆2,7-二辛基[1]苯并噻吩并[3,2-b]苯并噻吩溶液制备得到；所述2,7-二辛基[1]苯并噻吩并[3,2-b]苯并噻吩溶液是由2,7-二辛基[1]苯并噻吩并[3,2-b]苯并噻吩、聚乙烯和聚甲基丙烯酸甲酯溶于氯苯中形成的混合溶液，其中聚乙烯和聚甲基丙烯酸甲酯的质量之和与2,7-二辛基[1]苯并噻吩并[3,2-b]苯并噻吩的质量比为1：10。

9.根据权利要求8所述的有机晶体管的制备方法，其特征在于，制备2,7-二辛基[1]苯并噻吩并[3,2-b]苯并噻吩有机半导体层时，采用偏心旋涂法进行制备。