[发明专利]一种QLED器件的制造方法在审
| 申请号： | 202111068699.1 | 申请日： | 2021-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN113659102A | 公开（公告）日： | 2021-11-16 |
| 发明（设计）人： | 唐鹏宇;穆欣炬;马中生 | 申请（专利权）人： | 义乌清越光电技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/56 | 分类号： | H01L51/56;H01L51/50 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 刘林涛 |
| 地址： | 322000 浙江省金华市北苑*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 qled 器件 制造 方法 | ||
1.一种QLED器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供阳极基板；
在所述阳极基板上形成空穴注入层；
在所述空穴注入层上形成空穴传输层；
在所述空穴传输层上喷墨打印量子点墨水，形成量子点层；
在所述量子点层上形成电子传输层；
在所述电子传输层上形成阴极层；
其中，
所述空穴传输层使用交联型材料成膜后进行交联反应形成；所述量子点墨水的溶剂材料适于溶解完成交联反应前的所述交联型材料；所述形成量子点层的步骤在所述交联材料的交联度在80％～90％时进行。
2.根据权利要求1所述的QLED器件的制造方法，其特征在于，
所述形成量子点层的步骤，在所述交联反应中所述交联型材料完全交联的时间点的60％～90％时开始进行。
3.根据权利要求2所述的QLED器件的制造方法，其特征在于，
所述交联型材料发生所述交联反应的反应温度为150℃～250℃，所述交联反应中的所述交联型材料的完全交联时间为15min～90min。
4.根据权利要求3所述的QLED器件的制造方法，其特征在于，
所述形成量子点层的步骤中在所述交联反应进行至10min～80min时开始进行，反应温度为所述交联型材料能够发生交联反应的最低反应温度。
5.根据权利要求3所述的QLED器件的制造方法，其特征在于，
所述量子点墨水的溶剂材料适于溶解未发生交联反应的所述交联型材料。
6.根据权利要求5所述的QLED器件的制造方法，其特征在于，
所述量子点墨水中的量子点材料包括：镉基量子点材料、含InP量子点材料、钙钛矿量子点材料。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
