[发明专利]阵列基板及显示装置在审

专利信息
申请号: 202111065945.8 申请日: 2021-09-10
公开(公告)号: CN113777847A 公开(公告)日: 2021-12-10
发明(设计)人: 田鹏程;胡锦堂;刘汉青;陈伟;于刚;邹浩伟;马俊如;郭洪文;李慧颖;魏玉轩;郭俊;毛磊;李鑫 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司
主分类号: G02F1/167 分类号: G02F1/167;G02F1/1685;G02F1/16755
代理公司: 北京风雅颂专利代理有限公司 11403 代理人: 李弘
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 阵列 显示装置
【权利要求书】:

1.一种阵列基板,其特征在于,包括:

衬底基板;

多条栅线,设置于所述衬底基板上且沿第一方向排布;

多条信号线,设置于所述衬底基板上且沿第二方向排布,所述第二方向与所述第一方向垂直;所述栅线与所述信号线绝缘交叠围设形成多个子像素单元;

晶体管,设置于所述子像素单元中,且所述晶体管在所述衬底基板上的正投影与所述栅线、所述信号线中的至少一个在所述衬底基板上的正投影部分交叠;以及,

像素电极层,设置于所述子像素单元中且与所述晶体管连接。

2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述晶体管包括双栅极晶体管;所述双栅极晶体管包括第一栅极、第二栅极、第一电极、桥接电极以及第二电极,所述第一栅极与所述第一电极、所述桥接电极之间设置第一有源层单元,所述第二栅极与所述桥接电极、所述第二电极之间设置第二有源层单元;

所述桥接电极包括第一桥接子电极及与所述第一桥接子电极连接的第二桥接子电极,所述第一有源层单元在所述第一电极与所述第一桥接子电极之间形成第一沟道,所述第二有源层单元在所述第二桥接子电极与所述第二电极之间形成第二沟道;

所述第一栅极、所述第二栅极分别与所述栅线同层设置,且部分所述栅线复用为部分所述第一栅极,部分所述栅线复用为部分所述第二栅极。

3.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述第一电极、所述桥接电极以及所述第二电极与所述信号线同层设置,且部分所述信号线复用为至少部分所述第一电极,所述第一栅极在所述衬底基板上的正投影与所述信号线在所述衬底基板上的正投影部分交叠。

4.根据权利要求2或3所述的阵列基板,其特征在于,所述像素电极层与所述第二电极连接,所述像素电极层在所述衬底基板上的正投影与所述第二电极在所述衬底基板上的正投影至少部分交叠,且所述第一沟道、所述第二沟道在所述衬底基板上的正投影与所述像素电极层在所述衬底基板上的正投影不交叠。

5.根据权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,

所述栅线在所述子像素单元内断开以形成栅线第一端和栅线第二端;

所述栅线第一端靠近所述数据线的一段所述栅线复用为所述第一栅极的第一子栅极,所述第一栅极还包括设置于所述栅线靠近所述子像素单元的一侧且与所述第一子栅极连接的第二子栅极;

所述栅线第二端远离所述数据线的一段所述栅线复用为所述第二栅极的第三子栅极,所述第二栅极还包括设置于所述栅线靠近所述子像素单元的一侧且与所述第三子栅极连接的第四子栅极;

所述第二子栅极与所述第四子栅极连接。

6.根据权利要求5所述的阵列基板,其特征在于,

所述第一电极包括复用一段所述数据线的第一子电极和从所述第一子电极的一端沿第一方向延伸形成的第二子电极;

所述第二电极包括沿第一方向延伸形成的第三子电极和与所述第三子电极远离所述第二子电极的一端垂直连接的第四子电极,所述第三子电极与所述第二子电极相对设置,且所述第一子电极、所述第二子电极、所述第三子电极和所述第四子电极围设形成一矩形区域;

所述桥接电极包括沿所述第一方向延伸的条形结构,且设置于所述矩形区域内,所述桥接电极在所述衬底基板上的正投影与所述栅线在所述衬底基板上的正投影至少部分交叠。

7.根据权利要求6所述的阵列基板,其特征在于,

所述第一桥接子电极包括平行且靠近所述数据线的第一边及与所述第一边邻接且远离所述栅线的第二边,所述第一边与所述第一子电极相对设置,所述第二边与所述第二子电极相对设置;

所述第二桥接子电极包括平行且远离所述数据线的第三边及与所述第三边邻接且远离所述栅线的第四边,所述第三边与所述第四子电极相对设置,所述第四边与所述第三子电极相对设置。

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