[发明专利]一种多晶硅清洗液的评估方法

说明书

本发明涉及半导体加工技术领域，尤其涉及一种多晶硅清洗液的评估方法，包括以下步骤：建立循环系统，自对多晶硅清洗液进行存储的槽体一处对部分清洗液进行抽取，且自另一处将抽取的清洗液返送回槽体内；对循环系统内的清洗液进行吸光度分析，获得吸光度值；对吸光度值进行信号转化，获得数字信号；通过数字信号对清洗液进行评估。本发明中利用吸光度分析的方法确定HF/HNO₃的水溶液组分变化，可以对清洗液的更换和调配提供可定量的判断指标，从而使得硅料刻蚀的过程获得稳定的控制，保证供下游拉直单晶使用的硅料具有较高的质量，从而提高最终产品的稳定性及可靠性。

技术领域

本发明涉及半导体加工技术领域，尤其涉及一种多晶硅清洗液的评估方法。

背景技术

经过改良西门子法生产的电子级多晶硅棒，需要进行破碎而将棒料变成块料后，才可以供下游拉直单晶使用。在多晶硅棒拆炉后进行破碎和筛分的过程中会带来表面污染，如金属沾污，部分金属离子如Cu²⁺，Fe³⁺，具有较高的穿透性，附着在硅表面后，会渗透到硅料的内部，因此要去除这些沾污，需要通过清洗去除硅料的表层部分。

清洗过程的关键步骤是使用HF/HNO₃的水溶液刻蚀掉硅料表层，这种溶液具有较高的刻蚀速率，因而在工业生产中得到广泛应用。然而，在刻蚀过程中，HF/HNO₃的水溶液组分的变化对硅料清洗质量有很大影响，会导致污染残留或者影响表观形态，因此，定量监控HF/HNO₃的水溶液组分变化对硅料刻蚀过程监控具有重要意义。

鉴于上述需求，本发明人基于从事此类技术多年丰富经验及专业知识，配合理论分析，加以研究创新，以期开发一种多晶硅清洗液的评估方法。

发明内容

本发明中提供了一种多晶硅清洗液的评估方法，可有效满足背景技术中的需求。

本发明的上述技术目的是通过以下技术方案得以实现的：

一种多晶硅清洗液的评估方法，包括以下步骤：

建立循环系统，自对多晶硅清洗液进行存储的槽体一处对部分清洗液进行抽取，且自另一处将抽取的所述清洗液返送回所述槽体内；

对所述循环系统内的清洗液进行吸光度分析，获得吸光度值；

对所述吸光度值进行信号转化，获得数字信号；

通过所述数字信号对所述清洗液进行评估。

进一步地，对所述清洗液的吸光度分析在所述循环系统局部透光的管道位置进行，且局部透光的管道位置处于无光环境中。

进一步地，在所述管道的局部位置供光线进入，且通过管道壁对所述光线进行与入射方向相反的反射，通过入射光线和反射光线进行所述吸光度分析。

进一步地，在所述管道的局部位置一侧供光线进入，且通过另一侧供光线射出，通过入射光线和出射光线进行所述吸光度分析。

进一步地，在所述循环系统内的清洗液持续循环的过程中，在设定时间内，连续进行两次所述吸光度分析，分别获得第一吸光度值A₁和第二吸光度值A₂，用于转换为所述数字信号的吸光度值为A₀，其中，

A₀=（A₁+ A₂）/2。

进一步地，对求得的A₀进行修订，修订后的值为A₀₁，其中，

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