[发明专利]薄膜晶体管、阵列基板和显示装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：

控制极、有源层和第一导电图案，依次层叠设置在衬底上，在垂直于所述衬底的方向上，所述第一导电图案中与所述有源层正对的部分为所述薄膜晶体管的第一极，在第一方向上，所述有源层超出所述第一极；

第二极，所述第二极和所述第一极沿第二方向相对设置，所述有源层中位于所述第一极和所述第二极之间的部分为所述薄膜晶体管的沟道，所述沟道在所述衬底上的正投影位于所述控制极在所述衬底上的正投影以内；

其中，所述第一方向和所述第二方向平行于所述衬底，并且，所述第一方向与所述第二方向交叉。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，

所述第一导电图案为沿所述第二方向延伸的长条形，所述第一极位于所述第一导电图案在所述第二方向上的一端。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，

所述有源层包括第一超出部，所述第一超出部位于所述第一极沿所述第一方向的至少一侧，所述第一超出部的宽度大于或等于2.5μm。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，

在所述第二方向上，所述控制极超出所述沟道。

5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管，其特征在于，

所述控制极包括第二超出部，所述第二超出部位于所述沟道沿第二方向的至少一侧，所述第二超出部的宽度大于或等于2.5μm。

6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，

所述控制极包括第一边沿，所述有源层包括第二边沿，所述第一边沿和所述第二边沿位于所述沟道沿所述第二方向的同一侧，所述第一边沿位于所述第二边沿靠近所述沟道的一侧。

7.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，

在所述第一方向上，所述有源层超出所述第二极。

8.一种阵列基板，其特征在于，包括：

衬底；

权利要求1～7任一项所述的薄膜晶体管，设置在所述衬底上。

9.根据权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，还包括：

像素电极，设置在所述衬底上，所述像素电极与所述薄膜晶体管的第一极耦接。

10.根据权利要求9所述的阵列基板，其特征在于，还包括：

第二导电图案，设置在所述衬底上，所述第二导电图案位于第一导电图案沿第二方向远离第二极的一侧，所述第二导电图案和所述第一导电图案耦接并形成一体图案，并且，所述第二导电图案与所述像素电极耦接；

所述第二导电图案在第一方向上凸出所述第一导电图案，控制极与所述第二导电图案在所述第二方向上的距离大于或等于3μm。

11.根据权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，还包括：

数据线，所述数据线和第一导电图案同层设置，在垂直于所述衬底的方向上，所述数据线中与有源层正对的部分为所述薄膜晶体管的第二极。

12.根据权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，

在所述薄膜晶体管中，在第一方向上，有源层超出第二极；

所述阵列基板还包括数据线，所述数据线位于所述第二极远离第一极的一侧，所述数据线与所述第二极耦接，且所述数据线和所述第二极形成一体图案。

13.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求8～12任一项所述的阵列基板。

14.根据权利要求13的显示装置，其特征在于，所述显示装置的刷新率小于或等于40Hz。