[发明专利]一种摄像头强化玻璃及其镀膜方法

权利要求书

1.一种摄像头强化玻璃，其特征在于，包括：

玻璃本体；

复合膜层，盖设于所述玻璃本体上，所述复合膜层至少包括两个膜层单元，每个所述膜层单元包括基底膜层以及盖设于所述基底膜层上的强化膜层；所述膜层单元中所述强化膜层相比所述基底膜层远离所述玻璃本体设置；以及

保护膜层，盖设于所述复合膜层上。

2.如权利要求1所述的摄像头强化玻璃，其特征在于，所述复合膜层包括第一膜层单元和第二膜层单元，所述第二膜层单元相比所述第一膜层单元远离所述玻璃本体设置；所述第一膜层单元包括第一基底膜层和第一强化膜层，所述第一强化膜层相比所述第一基底膜层远离所述玻璃本体设置；所述第二膜层单元包括第二基底膜层和第二强化膜层，所述第二强化膜层相比所述第二基底膜层远离所述玻璃本体设置；

所述第二强化膜层的厚度大于所述第一强化膜层的厚度；所述第二基底膜层的厚度大于所述第一基底膜层的厚度。

3.如权利要求2所述的摄像头强化玻璃，其特征在于，所述第一基底膜层、所述第二基底膜层采用硅膜层或二氧化硅膜层；所述第一强化膜层、所述第二强化膜层采用五氧化二铌膜层。

4.如权利要求3所述的摄像头强化玻璃，其特征在于，所述第一基底膜层的厚度为100-150埃；所述第一强化膜层的厚度为100-150埃；所述第二基底膜层的厚度为300-350埃；所述第二强化膜层的厚度为1000-1300埃。

5.如权利要求1所述的摄像头强化玻璃，其特征在于，所述复合膜层包括第一膜层单元、第二膜层单元和第三膜层单元；所述第一膜层单元、所述第二膜层单元和所述第三膜层单元距离所述玻璃本体的距离依次变远。

6.如权利要求1-5任一项所述的摄像头强化玻璃，其特征在于，所述保护膜层采用硅膜层或二氧化硅膜层；所述保护膜层厚度为800-1000埃。

7.一种权利要求1-6任一项的摄像头强化玻璃的镀膜方法，其特征在于，包括：

对所述玻璃本体表面进行离子源蚀刻处理；

在离子源蚀刻处理后的所述玻璃本体表面上进行复合膜层镀膜；所述复合膜层至少包括两个膜层单元，每个所述膜层单元包括基底膜层以及盖设于所述基底膜层上的强化膜层；所述膜层单元中所述强化膜层相比所述基底膜层远离所述玻璃本体设置；

在所述复合膜层表面进行保护层镀膜。

8.如权利要求7所述的摄像头强化玻璃的镀膜方法，其特征在于，所述复合膜层包括第一膜层单元和第二膜层单元，所述第一膜层单元包括第一基底膜层和第一强化膜层，所述第一强化膜层相比所述第一基底膜层远离所述玻璃本体设置；所述第二膜层单元包括第二基底膜层和第二强化膜层，所述第二强化膜层相比所述第二基底膜层远离所述玻璃本体设置；

所述在离子源蚀刻处理后的所述玻璃本体表面上进行复合膜层镀膜的步骤，包括：

在离子源蚀刻处理后的所述玻璃本体表面上进行第一基底膜层镀膜；

在预设比例的氧气与惰性气体的第一混合离子源下，在所述第一基底膜层上进行第一强化膜层镀膜；

在所述第一强化膜层上进行第二基底膜层镀膜；

在预设比例的氧气与惰性气体的第二混合离子源下，在所述第二基底膜层上进行第二强化膜层镀膜。

9.如权利要求8所述的摄像头强化玻璃的镀膜方法，其特征在于，所述第一基底膜层、所述第二基底膜层采用硅膜层或二氧化硅膜层；所述第一强化膜层、所述第二强化膜层采用五氧化二铌膜层；

所述第一基底膜层的厚度为100-150埃；所述第一强化膜层的厚度为100-150埃；所述第二基底膜层的厚度为300-350埃；所述第二强化膜层的厚度为1000-1300埃；所述保护膜层采用硅膜层或二氧化硅膜层；所述保护膜层厚度为800-1000埃。

10.如权利要求7所述的摄像头强化玻璃的镀膜方法，其特征在于，所述复合膜层包括第一膜层单元、第二膜层单元和第三膜层单元；所述第一膜层单元包括第一基底膜层和第一强化膜层，所述第一强化膜层相比所述第一基底膜层远离所述玻璃本体设置；所述第二膜层单元包括第二基底膜层和第二强化膜层，所述第二强化膜层相比所述第二基底膜层远离所述玻璃本体设置；所述第三膜层单元包括第三基底膜层和第三强化膜层；所述第三强化膜层相比所述第三基底膜层远离所述玻璃本体设置；

所述在离子源蚀刻处理后的所述玻璃本体表面上进行复合膜层镀膜的步骤，包括：

在离子源蚀刻处理后的所述玻璃本体表面上进行第一基底膜层镀膜；

在预设比例的氧气与惰性气体的第一混合离子源下，在所述第一基底膜层上进行第一强化膜层镀膜；

在所述第一强化膜层上进行第二基底膜层镀膜；

在预设比例的氧气与惰性气体的第二混合离子源下，在所述第二基底膜层上进行第二强化膜层镀膜；

在所述第二强化膜层上进行第三基底膜层镀膜；

在预设比例的氧气与惰性气体的第三混合离子源下，在所述第三基底膜层上进行第三强化膜层镀膜。