[发明专利]LaFeO3

说明书

本发明涉及光催化技术领域，具体公开一种LaFeO₃/In₂S₃复合材料的制备方法及其应用，包括如下步骤：S1.制备LaFeO₃纳米微球；S2.制备含LaFeO₃的In₂S₃前驱体溶液：将LaFeO₃纳米微球分散在InCl₃溶液中，得含LaFeO₃的悬浊液，在剧烈搅拌条件下向悬浊液中逐滴滴加Na₂S溶液，得含LaFeO₃的In₂S₃前驱体溶液；S3.制备LaFeO₃/In₂S₃复合材料：含LaFeO₃的In₂S₃前驱体溶液于聚四氟乙烯反应釜中进行水热反应，得LaFeO₃/In₂S₃复合材料。本发明的制备方法工艺简单，易于操作，成本低，制得Z‑型异质结构的LaFeO₃/In₂S₃复合材料，光电催化性能佳，且化学稳定性好，易分散，有利于光催化反应的进行，提高光催化效果，应用于光催化降解有机污染物领域，光催化降解效果佳。

技术领域

本发明涉及光催化技术领域，尤其涉及一种LaFeO₃/In₂S₃复合材料的制备方法及其应用。

背景技术

由于当前的工业快速发展，水污染日益严重，对人类健康造成了严重的威胁，因此开发利用高效的水污染处理技术刻不容缓。半导体材料直接有效的利用环境中的太阳能产生电子-空穴对以及一系列具有高氧化还原电位的活性物质，驱动表面氧化还原反应，从而有效地氧化水解水体当中存在的各类有机或无机污染物质，甚至将其完全矿化为H₂O和CO₂。由于半导体光催化技术表现出的低成本、低毒性、可利用太阳能、可控性以及可发展性强等特点而受到人们的广泛关注。但是目前的光催化技术在应用于污水处理方面还面临一些亟待解决的问题，如太阳能利用率低、量子效率低、光生电子-空穴对复合严重等问题。

根据光催化过程中涉及的氧化还原反应表明：催化剂的导带需高于超氧自由基电势，价带低于羟基自由基电势。目前涉及的光催化半导体材料包括C₃N₄、CdS、三元硫族化合物MIn_xS_y、二维材料石墨烯等。但是这些材料存在难制备、难分散、毒性大、稳定性不够等缺点。常用的宽带隙半导体，如TiO₂、ZnO、SrTiO₃、WO₃、铌酸盐、钽酸盐等，虽然宽带隙半导体具有较好的稳定性、低毒性等优点，但是带隙过宽，太阳光有效利用率低、制备复杂。因此目前的光催化技术存在吸收范围窄，光生电荷复合严重，氧化还原能力不够等问题。

发明内容

本发明的目的在于，针对已有的技术现状，提供一种LaFeO₃/In₂S₃复合材料的制备方法及其应用，本发明的制备方法工艺简单，易于操作，成本低，制得Z-型异质结构的LaFeO₃/In₂S₃复合材料，光电催化性能佳，且化学稳定性好，易分散，有利于光催化反应的进行，提高光催化效果，应用于光催化降解有机污染物领域，光催化降解效果佳。

为达到上述目的，本发明采用如下技术方案：

一种LaFeO₃/In₂S₃复合材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1.制备LaFeO₃纳米微球；