[发明专利]一种适用于集成电路的低温漂带隙基准电压源

说明书

本发明提出了一种适用于集成电路的低温漂带隙基准电压源，包括带隙基准电压产生电路，所述带隙基准电压产生电路包括用于产生带隙基准电压V_ref的带隙基准核心电路，所述带隙基准核心电路具有两支路电流I₁和I₂，且所述带隙基准电压V_ref产生于所述电流I₁的支路上，所述带隙基准核心电路包括由PMOS管M1和M2组成的一级电流镜，所述一级电流镜用于控制所述电流I₁和电流I₂相等；二级电流镜电路，其输入端连接所述电流I₂的输出端；差分电路，其具有两个输入端，其中一个输入端与所述二级电流镜电路的输出端连接，且另一个输入端接入所述带隙基准电压V_ref，并且输出一个优化后的输出电压V_OUT。本发明的电路结构简单且易于实现，适应现代集成电路的发展趋势。

技术领域

本发明属于集成电路设计领域，具体涉及一种适用于集成电路的低温漂带隙基准电压源。

背景技术

带隙基准电压源作为模拟集成电路、数模混合电路以及片上系统的重要组成部分，为电路提供近似零温度系数的输出电压。高性能带隙基准电压源能够提供一个不受PVT(工艺、电源电压和温度)变化影响的恒定基准电压，通过为有源器件提供恒定的偏置电压，稳定电路节点和大信号分析的直流工作点。对于传统的一阶带隙基准电压源而言，温度系数一般在20ppm/℃～100ppm/℃，而温漂的下降，往往是以电路复杂度提高为基础的，例如，在传统的带隙基准核心电路中需要用Brokaw型Bandgap中的放大器对支路电流进行放大，其结构较为复杂。由于集成电路的发展趋于小型化、集成化，所以电路需要具备结构简单、易于实现等特点。因此，设计一种结构简单的低温漂带隙基准电压源能够适应现代集成电路的发展趋势。

发明内容

为了解决带隙基准电压源的复杂度与温度系数的折衷问题，本申请提供一种适用于集成电路的低温漂带隙基准电压源。

本发明提出了一种适用于集成电路的低温漂带隙基准电压源，包括：

带隙基准电压产生电路，所述带隙基准电压产生电路包括用于产生带隙基准电压V_ref的带隙基准核心电路，所述带隙基准核心电路具有两支路电流I₁和I₂，且所述带隙基准电压V_ref产生于所述电流I₁的支路上，所述带隙基准核心电路包括由PMOS管M1和M2组成的一级电流镜，所述一级电流镜用于控制所述电流I₁和电流I₂相等；

二级电流镜电路，其输入端连接所述电流I₂的输出端；

差分电路，其具有两个输入端，所述差分电路的其中一个输入端与所述二级电流镜电路的输出端连接，且另一个输入端接入所述带隙基准电压V_ref，并且输出一个优化后的输出电压V_OUT；

其中，

所述二级电流镜电路包括PMOS管M12、NMOS管M13和电阻R14，所述电阻R14的一端接电源VDD，所述电阻R14的另一端连接所述PMOS管M12的漏极，所述PMOS管M12的栅极接入所述电流I₂，所述PMOS管M12的源极连接所述NMOS管M13的漏极，所述NMOS管M13的栅极连接自身的漏极以及所述差分电路的输入端，所述NMOS管M13的源极接地。