[发明专利]多孔泡沫结构MXene基电磁屏蔽薄膜及其制备方法在审
| 申请号： | 202111032232.1 | 申请日： | 2021-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN113881105A | 公开（公告）日： | 2022-01-04 |
| 发明（设计）人： | 汪桂根;张思颖;赵大强 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学(深圳) |
| 主分类号： | C08L1/02 | 分类号： | C08L1/02;C08K9/02;C08K3/14;C08K7/00;C08J5/18;C08J9/28;H05K9/00 |
| 代理公司： | 深圳市科吉华烽知识产权事务所(普通合伙) 44248 | 代理人： | 覃迎峰 |
| 地址： | 518000 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 多孔 泡沫 结构 mxene 电磁 屏蔽 薄膜 及其 制备 方法 | ||
1.多孔泡沫结构MXene基电磁屏蔽薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤S1，准备MXene分散液；
步骤S2，采用H+对MXene进行交联，得到H+交联处理的MXene；
步骤S3，将H+交联处理的MXene与细菌纤维素进行复合，得到复合薄膜；
步骤S4，对复合薄膜进行冷冻铸造，得到多孔泡沫结构MXene基电磁屏蔽薄膜。
2.根据权利要求1所述的多孔泡沫结构MXene基电磁屏蔽薄膜的制备方法，其特征在于：所述MXene为Ti3C2Tx。
3.根据权利要求2所述的多孔泡沫结构MXene基电磁屏蔽薄膜的制备方法，其特征在于：步骤S1中，以氟化锂和盐酸的混合溶液为刻蚀剂，以Ti3AlC2 MAX粉末为前驱体，在35 ℃反应28 h后，清洗得到Ti3C2Tx MXene纳米片；将MXene纳米片分散在去离子水中，搅拌分散均匀得到MXene分散液。
4.根据权利要求3所述的多孔泡沫结构MXene基电磁屏蔽薄膜的制备方法，其特征在于：步骤S2中，在MXene分散液中加入HCl，调节MXene分散液的pH值为1-6，进行搅拌，使MXene纳米片在分散液中交联。
5.根据权利要求4所述的多孔泡沫结构MXene基电磁屏蔽薄膜的制备方法，其特征在于：步骤S3包括：将细菌纤维素分散液进行减压抽滤，待薄膜上的水分被抽干后，加入H+交联处理的MXene，继续进行减压抽滤，待薄膜上的水分被再次抽干后取下滤膜，得到复合薄膜。
6.根据权利要求5所述的多孔泡沫结构MXene基电磁屏蔽薄膜的制备方法，其特征在于：步骤S3中，细菌纤维素分散液中，细菌纤维素的浓度为1~5mg/ml；
复合薄膜中，细菌纤维素的质量百分比为10%~80%。
7.根据权利要求5所述的多孔泡沫结构MXene基电磁屏蔽薄膜的制备方法，其特征在于：步骤S4包括，将复合薄膜在液氮中进行定向冷冻；将冷冻后的样品冷冻干燥即可得到具有定向多孔泡沫结构的MXene复合薄膜。
8.根据权利要求7所述的多孔泡沫结构MXene基电磁屏蔽薄膜的制备方法，其特征在于：步骤S4中，将复合薄膜垂直浸入液氮中。
9.根据权利要求1~8任意一项所述的多孔泡沫结构MXene基电磁屏蔽薄膜的制备方法，其特征在于：所述多孔泡沫结构MXene基电磁屏蔽薄膜的厚度为20~70 μm。
10.多孔泡沫结构MXene基电磁屏蔽薄膜，其特征在于：其采用如权利要求1~9任意一项所述的多孔泡沫结构MXene基电磁屏蔽薄膜的制备方法制备得到。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于哈尔滨工业大学(深圳)，未经哈尔滨工业大学(深圳)许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202111032232.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：远程协助方法及装置
- 下一篇：一种推荐方法、装置、电子设备及存储介质
