[发明专利]一种基于成像亮度计的OLED屏幕子像素亮度提取方法有效
申请号: | 202111023231.0 | 申请日: | 2021-09-02 |
公开(公告)号: | CN113470562B | 公开(公告)日: | 2021-11-19 |
发明(设计)人: | 蔡剑;李堃;叶选新;蔡杰羽;石炳磊;白海楠;朱诗文 | 申请(专利权)人: | 苇创微电子(上海)有限公司 |
主分类号: | G09G3/20 | 分类号: | G09G3/20;G09G3/3208 |
代理公司: | 广州京诺知识产权代理有限公司 44407 | 代理人: | 于睿虬 |
地址: | 201306 上海市浦东新区中国(上*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 成像 亮度计 oled 屏幕 像素 亮度 提取 方法 | ||
本发明公开了一种基于成像亮度计的OLED屏幕子像素亮度提取方法,具包括:拍摄待测显示屏输出的图片;获得空间采样倍率K;将图像分割成若干个子像素团,进行曲面拟合,得到弥散系数或者其平均值;以二维弥散模型进行模拟得到模拟弥散圆,并且对不同采样位置计算出对应的模拟采样团;匹配采样位置,并根据采样位置拟合计算每个子像素团对应的模拟弥散圆中心的拟合亮度值,作为待测显示屏的子像素亮度值。本发明对于不同的采样位置,做模式匹配,同时针对不同的采样位置应用不同的拟合,还原出待测显示屏子像素中心处的亮度,避免了周期性偏差的产生,从本质上解决了摩尔纹的问题,避免了摩尔纹的产生,提高了测量精度。
技术领域
本发明涉及显示制造领域,具体为一种基于成像亮度计的OLED屏幕子像素亮度提取方法。
背景技术
在现有技术中,使用电流驱动的自发光显示器(包括OLED显示屏、MiniLED显示屏以及未来的MicroLED显示屏)由于制造工艺的限制,会产生子像素级别的电路上的不一致性。这种不一致性表现在显示上,即为一种整体或局部的显示不均匀性,表现为块状、沙状、点状等,这种不均匀性统称为Mura(指显示器亮度不均匀, 造成各种痕迹的现象)。Mura通常有亮度Mura和色Mura两种,表示亮度的不均匀性和颜色的不均匀性,目前Mura是限制国产OLED生产良率的主要因素之一,而对于显示器的Mura校准通常称为DeMura。
目前业界常用的DeMura方案包括以下几个步骤:拍摄、提图、建模、压缩和显示驱动芯片(DriverIC)算法处理。但是现有的拍摄工序,由于成像亮度计本身的一致性以及线性可能并不理想,会带来一定的误差。同时在提图的时候,由于空间采样倍率非整数,会产生采样相位的不一致,从而导致误差的产生,比如提图的数据会有周期性的条纹产生,俗称摩尔纹(Moire)。提图软件在处理摩尔纹的时候会使用某些滤波算法,这些算法也会人为产生误差。理想的拍摄提图,能够精准的获得每个子像素的显示特性(不一致性),但不理想的拍摄和提图,往往会导致DeMura的失败。
因此,急需一种提取屏幕子像素亮度的方法,能够在提图过程中直接避免摩尔纹的产生,以从根本上解决上述问题。
发明内容
为解决现有的技术问题,本发明提供一种基于成像亮度计的OLED屏幕子像素亮度提取方法,在拍摄、提图和建模的过程中,通过迭代的方法提高拍摄提图的精度,避免摩尔纹的产生,为最终的DeMura实现提供基础。
本发明提供了一种基于成像亮度计的OLED屏幕子像素亮度提取方法,包括以下步骤:
S1:调整成像亮度计的焦距、位置以及曝光时间,拍摄待测显示屏输出的图片,使所述成像亮度计获取的最大亮度值处于预设亮度范围内;
S2:根据S1拍摄到的图像获得空间采样倍率K;
S3:根据S2计算得到的空间采样倍率K,将S1拍摄到的图像分割成若干个子像素团,每个所述子像素团对应待测显示屏的一个子像素,对一个或者若干个所述子像素团以二维弥散模型进行曲面拟合,得到弥散系数或者其平均值;
其中,所述子像素为待测显示屏的一个发光单元所产生的光学图案单元,由于存在色像差等现象,因此在拍摄设备内会形成弥散圆;
所述子像素团表示拍摄设备采集一个光学图案单元得到的采样点集合,每个子像素团包含若干个采样点;
所述二维弥散模型为预设的弥散圆亮度的二维分布模型,预设的弥散圆亮度的二维分布模型可以是二维正态分布模型,也可以是其他的二维分布模型,本领域技术人员可根据需要自行设定;
所述弥散系数为二维弥散模型的参数。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苇创微电子(上海)有限公司,未经苇创微电子(上海)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202111023231.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。