[发明专利]阵列基板和显示面板

说明书

本申请公开了一种阵列基板和显示面板，所述阵列基板中主像素区和次像素区并列设置；在数据线方向上，相邻所述子像素之间形成控制区，所述控制区内设有第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管和第三薄膜晶体管；所述第一薄膜晶体管控制所述主像素区的像素电极，所述第二薄膜晶体管控制所述次像素区的像素电极；所述第一薄膜晶体管的源极和第二薄膜晶体管的源极设有源极开口，且所述第一薄膜晶体管的源极开口和所述第二薄膜晶体管的源极开口方向相同。通过上述设计，有利于缩短控制区的宽度，增大主像素区中像素电极和次像素区中像素电极在阵列基板表面的面积比例，提高显示面板的开口率。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板和显示面板。

背景技术

垂直配向模式(Vertical Alignment，简称VA)显示以其宽的视野角、高对比度等优势，成为大尺寸显示屏用薄膜场效应晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor LiquidCrystal Display，简称TFT-LCD)的常见模式。目前为了提高显示面板的大视角色偏的问题，通常的对策是采用8畴设计，即将一个子像素分为2个区，称主像素区(main区)和次像素区(sub区)。在给电压的情况下每个区内的液晶分子有四个不同的倒向，通过使子区的电压低于主区的电压，实现一个像素内的液晶有8种不同的倒向角度，从而实现宽视角。目前8畴设计像素结构一般采用3个薄膜晶体管的设计，并将像素区设置于薄膜晶体管的一侧，以期提高显示面板的开口率。然而，薄膜晶体管电路以及像素区的设置依然是影响开口率的主要因素之一，也即现有的薄膜晶体管电路以及像素区的设置依然导致显示面板的开口率不够高，因此如何进一步提高显示面板的开口率是亟需解决的问题。

发明内容

本申请的目的是提供一种阵列基板和显示面板，旨在进一步提高8畴像素设计的显示面板的开口率。

本申请公开了一种阵列基板，包括多条水平方向设置的扫描线、多条竖直方向设置的数据线，以及设置在相邻数据线和相邻扫描线之间的多个子像素，所述子像素划分为主像素区和次像素区；在数据线方向上，相邻所述子像素之间形成控制区；所述主像素区和所述次像素区沿所述扫描线方向排列，并列设置于所述控制区的一端；所述控制区内一侧设有第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管控制所述主像素区的像素电极，所述第二薄膜晶体管控制所述次像素区的像素电极；所述第一薄膜晶体管的源极和第二薄膜晶体管的源极设有源极开口，且所述第一薄膜晶体管的源极开口和所述第二薄膜晶体管的源极开口方向相同；所述控制区内另一侧设有第三薄膜晶体管，所述第三薄膜晶体管的源极连接所述第二薄膜晶体管的漏极，且所述第三薄膜晶体管的漏极连接所述子像素的共享电荷棒。

可选的，所述第一薄膜晶体管包括第一栅极、第一源极和第一漏极，所述第二薄膜晶体管包括第二栅极、第二源极和第二漏极，所述第三薄膜晶体管包括第三栅极、第三源极和第三漏极；所述第一漏极通过第一过孔与所述主像素区的像素电极连接，所述第二漏极通过第二过孔与所述次像素区的像素电极连接，所述第三源极通过第二过孔与所述第二漏极连接；所述第一过孔位于所述扫描线和对应所述主像素区的像素电极的之间，所述第二过孔位于所述扫描线和对应所述次像素区的像素电极的之间。

可选的，所述第一源极、第二源极的正投影位于所述扫描线的正投影内，所述第一源极远离所述第一过孔的一侧、第二源极远离所述第一过孔的一侧与所述扫描线远离所述第一过孔一侧的距离为2.5-3um，所述第一源极朝向所述第一过孔的一侧、第二源极朝向所述第一过孔的一侧与所述扫描线朝向所述第一过孔一侧的距离为5-5.5um；所述第一过孔设置在所述扫描线中对应所述第一薄膜晶体管的区域与上一行所述子像素中像素电极区之间。

可选的，所述扫描线中对应所述第三薄膜晶体管的区域与上一行所述子像素中像素电极区之间的间距，大于所述扫描线中对应所述第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管的区域与上一行所述子像素中像素电极区之间的间距；所述第二过孔设置在，所述扫描线中对应所述第三薄膜晶体管的区域与上一行所述子像素中像素电极区之间。