[发明专利]上电检测电路、GPIO接口电路及集成电路芯片有效

专利信息
申请号: 202111006246.6 申请日: 2021-08-30
公开(公告)号: CN113794472B 公开(公告)日: 2023-09-29
发明(设计)人: 请求不公布姓名 申请(专利权)人: 珠海亿智电子科技有限公司
主分类号: H03K19/0185 分类号: H03K19/0185;H03K5/08
代理公司: 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 代理人: 张志辉
地址: 519080 广东省珠海市高新区*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 检测 电路 gpio 接口 集成电路 芯片
【说明书】:

发明公开了一种上电检测电路、GPIO接口电路及集成电路芯片,涉及集成电路设计技术领域,其中上电检测电路包括RC模块、检测模块和上拉模块;所述检测模块的第一输入端连接所述RC模块的输出端,所述检测模块的第二输入端连接低压电源;所述上拉模块的第一端连接高压电源,所述上拉模块的第二端连接所述检测模块的输出端。上电检测电路能够在接口高压、数字低压的任意上电顺序下均输出有效的隔离信号。

技术领域

本发明涉及集成电路设计技术领域,特别涉及一种上电检测电路、GPIO接口电路及集成电路芯片。

背景技术

在集成电路芯片中,通常是多电源系统,GPIO(General-purpose input/output,通用型输入输出)接口电路工作在高压域,如1.8V,数字core电路工作在低压域,如0.9V。数字低压域的信号通过电平转换电路转换到接口高压域,然后GPIO接口与板极系统通讯。通常情况下,当芯片上电时,接口高压、数字低压上电顺序不确定。如果接口高压先上电,数字低压后上电,则会存在无电域(数字低压域)信号控制有电域(接口高压域)电路,导致GPIO接口在数字低压上电完成前处于不确定状态,则由GPIO控制的板极系统组件则会出现不可控制的状态。

因此,通常GPIO接口电路需要集成电压检测电路,传统的电压检测电路(如图1所示)在接口高压先上电、数字低压后上电时,可以有效避免无电控制有电的情况,但在接口高压和数字低压同时上电时,传统的电压检测电路难以做到数字低压域到接口高压的电平转换电路的有效隔离,导致GPIO接口输出毛刺。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此,本发明提出一种上电检测电路,能够在接口高压、数字低压的任意上电顺序下均输出有效的隔离信号。

本发明还提出一种具有上述上电检测电路的GPIO接口电路。

本发明还提出一种具有上述GPIO接口电路的集成电路芯片。

根据本发明的第一方面实施例的上电检测电路,包括RC模块、检测模块和上拉模块;所述检测模块的第一输入端连接所述RC模块的输出端,所述检测模块的第二输入端连接低压电源;所述上拉模块的第一端连接高压电源,所述上拉模块的第二端连接所述检测模块的输出端。

根据本发明实施例的上电检测电路,至少具有如下有益效果:RC模块具有延时特性,RC模块的输出接入检测模块的第一输入端,对检测模块进行控制,而上拉模块则可使电路的功耗降低,且在RC模块和上拉模块的作用下,上电检测电路可以在任意上电顺序下,均可以有效隔离数字低压域到接口高压域的电平转换,即能够输出有效的隔离信号。

根据本发明的一些实施例,所述RC模块包括电阻模块和电容模块,所述电阻模块的第一端连接所述高压电源,所述电阻模块的第二端与所述电容模块的第一端连接。

根据本发明的一些实施例,所述电阻模块包括至少一个第一PMOS晶体管,所述第一PMOS晶体管的源极端与所述高压电源连接,所述第一PMOS晶体管的漏极端与所述电容模块连接;或包括第一电阻,所述第一电阻的第一端与所述高压电源连接,所述第一电阻的第二端与所述电容模块连接。

根据本发明的一些实施例,所述电容模块包括第一电容,所述第一电容的第一端与所述电阻模块连接;或包括电容方式连接的场效应管,所述场效应管与所述电阻模块连接。

根据本发明的一些实施例,所述检测模块包括第二PMOS晶体管和第一NMOS晶体管,所述第二PMOS晶体管的栅极端作为所述检测模块的第一输入端与所述RC模块的输出端连接,所述第二PMOS晶体管的漏极端连接所述第一NMOS晶体管的漏极端,所述第一NMOS晶体管的漏极端作为所述检测模块的输出端连接所述上拉模块的第二端,所述第一NMOS晶体管的栅极作为所述检测模块的第二端连接所述低压电源。

根据本发明的一些实施例,所述第二PMOS晶体管为正比管。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于珠海亿智电子科技有限公司,未经珠海亿智电子科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202111006246.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top