[发明专利]上电检测电路、GPIO接口电路及集成电路芯片有效
| 申请号： | 202111006246.6 | 申请日： | 2021-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN113794472B | 公开（公告）日： | 2023-09-29 |
| 发明（设计）人： | 请求不公布姓名 | 申请（专利权）人： | 珠海亿智电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/0185 | 分类号： | H03K19/0185;H03K5/08 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 张志辉 |
| 地址： | 519080 广东省珠海市高新区*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 检测 电路 gpio 接口 集成电路 芯片 | ||
1.一种上电检测电路，其特征在于，包括：
RC模块；
检测模块，所述检测模块的第一输入端连接所述RC模块的输出端，所述检测模块的第二输入端连接低压电源；
上拉模块，所述上拉模块的第一端连接高压电源，所述上拉模块的第二端连接所述检测模块的输出端；
所述检测模块包括第二PMOS晶体管和第一NMOS晶体管，所述第二PMOS晶体管的栅极端作为所述检测模块的第一输入端与所述RC模块的输出端连接，所述第二PMOS晶体管的漏极端连接所述第一NMOS晶体管的漏极端，所述第一NMOS晶体管的漏极端作为所述检测模块的输出端连接所述上拉模块的第二端，所述第一NMOS晶体管的栅极作为所述检测模块的第二端连接所述低压电源，所述第二PMOS晶体管的源极端连接vcc，所述第一NMOS晶体管的源极端连接vss；所述第二PMOS晶体管为正比管。
2.根据权利要求1所述的上电检测电路，其特征在于，所述RC模块包括电阻模块和电容模块，所述电阻模块的第一端连接所述高压电源，所述电阻模块的第二端与所述电容模块的第一端连接。
3.根据权利要求2所述的上电检测电路，其特征在于，所述电阻模块包括至少一个第一PMOS晶体管，所述第一PMOS晶体管的源极端与所述高压电源连接，所述第一PMOS晶体管的漏极端与所述电容模块连接；
或包括第一电阻，所述第一电阻的第一端与所述高压电源连接，所述第一电阻的第二端与所述电容模块连接。
4.根据权利要求2或3所述的上电检测电路，其特征在于，所述电容模块包括第一电容，所述第一电容的第一端与所述电阻模块连接；
或包括电容方式连接的场效应管，所述场效应管与所述电阻模块连接。
5.根据权利要求1所述的上电检测电路，其特征在于，所述上拉模块包括第二电阻或多个串联连接的PMOS晶体管。
6.根据权利要求5所述的上电检测电路，其特征在于，所述上拉模块包括第三PMOS晶体管、第四PMOS晶体管和第五PMOS晶体管，所述第三PMOS晶体管的漏极端和栅极端与所述检测模块的输出端连接，所述第三PMOS晶体管的源极端与所述第四PMOS晶体管的漏极端和栅极端连接，所述第四PMOS晶体管的源极端与所述第五PMOS晶体管的漏极端和栅极端连接，所述第五PMOS晶体管的源极端连接高压电源。
7.一种GPIO接口电路，其特征在于，包括如权利要求1至6任意一项所述的上电检测电路。
8.一种集成电路芯片，其特征在于，包括如权利要求7所述的GPIO接口电路。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于珠海亿智电子科技有限公司，未经珠海亿智电子科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202111006246.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：空气滤清器用滤芯及其加工工艺
- 下一篇：一种基于HHT的波形智能自动分析方法
