[发明专利]具有优异温度稳定性的四方相A和B位共取代无铅压电织构陶瓷及其制备方法和应用有效
| 申请号: | 202111004591.6 | 申请日: | 2021-08-30 |
| 公开(公告)号: | CN113683409B | 公开(公告)日: | 2022-10-11 |
| 发明(设计)人: | 常云飞;寇蔷薇;刘琳婧;谢航;孙媛;杨彬 | 申请(专利权)人: | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号: | C04B35/468 | 分类号: | C04B35/468;C04B35/622;H01L41/09;H01L41/113;H01L41/187;H01L41/37 |
| 代理公司: | 哈尔滨华夏松花江知识产权代理有限公司 23213 | 代理人: | 侯静 |
| 地址: | 150001 黑龙*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 具有 优异 温度 稳定性 四方 取代 压电 陶瓷 及其 制备 方法 应用 | ||
1.具有优异温度稳定性的四方相A和B位共取代无铅压电织构陶瓷,其特征在于它的化学通式为(Ba1-xCax)(Ti1-yEy)O3,其中E为Zr或Hf,0.12<x<0.30,0<y<0.09;
所述的具有优异温度稳定性的四方相A和B位共取代无铅压电织构陶瓷的正交O-四方T相变温度To-t低于室温,室温下陶瓷为纯四方相(T)的钙钛矿结构,由沿[001]c或者[111]c择优取向的四方相晶粒组成,择优取向度在90%以上;当四方相晶粒沿[001]c择优取向时,陶瓷截面为长方体砖墙形貌;当四方相晶粒沿[111]c择优取向时,陶瓷截面为类菱形堆砌形貌;
所述的具有优异温度稳定性的四方相A和B位共取代无铅压电织构陶瓷的居里温度高于100℃,压电系数在室温至居里温度区间内的变化率低于15%。
2.根据权利要求1所述的具有优异温度稳定性的四方相A和B位共取代无铅压电织构陶瓷,其特征在于压电系数在室温至居里温度区间内的变化率低于10%。
3.如权利要求1所述的具有优异温度稳定性的四方相A和B位共取代无铅压电织构陶瓷的制备方法,其特征在于它是按以下步骤完成的:
一、制备前驱体基料:
以织构陶瓷目标组分化学通式(Ba1-xCax)(Ti1-yEy)O3的化学计量比为依据称取BaCO3粉体、CaCO3粉体、TiO2粉体和ZrO2粉体为原料,或称取BaCO3粉体、CaCO3粉体、TiO2粉体和HfO2粉体为原料;将称取的原料采用乙醇作为球磨介质,经一次球磨、烘干、预烧、二次球磨、烘干及过筛,得到前驱体基料;其中E为Zr或Hf,0.12<x<0.30,0<y<0.09;
所述的TiO2粉体、ZrO2粉体和HfO2粉体的粒径均≤60nm;所述的前驱体基料为纯钙钛矿相且粒径在300nm以下;
步骤一中所述的预烧具体为在温度为1000℃~1450℃的条件下,保温1h~10h;
二、选取和称量模板籽晶:
选取BaTiO3片状籽晶或SrTiO3片状籽晶作为模板籽晶,分别称取前驱体基料及模板籽晶;所述的模板籽晶与前驱体基料的摩尔比为3:(17~97);
所述的模板籽晶为纯钙钛矿结构,沿{001}c或者{111}c择优取向,且模板籽晶直径小于50μm,径厚比≥8;
三、制备流延浆料:
将溶剂、分散剂、粘合剂、塑化剂及步骤二称取的前驱体基料通过球磨混合制备基料浆料,然后将步骤二称取的模板籽晶加入到基体浆料中,继续球磨,得到流延浆料;
四、制备陶瓷生坯:
利用流延机对流延浆料进行流延、干燥,得到厚度为10μm~100μm的膜片,将膜片依次进行切割、叠压、热水匀压、切割及排胶,最后在压力为150MPa~300MPa的条件下冷等静压,得到陶瓷生坯;
五、制备四方相无铅织构陶瓷:
将陶瓷生坯置于高温炉中,在空气气氛及温度为1450℃~1600℃的条件下,烧结2h~20h,得到具有优异温度稳定性的四方相A和B位共取代无铅压电织构陶瓷。
4.根据权利要求3所述的具有优异温度稳定性的四方相A和B位共取代无铅压电织构陶瓷的制备方法,其特征在于步骤一中所述的BaCO3粉体、CaCO3粉体、TiO2粉体、ZrO2粉体和HfO2粉体的纯度均≥99.9%;步骤一中所述的一次球磨时间为48h~96h;步骤一中所述的二次球磨时间为24h~72h。
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