[发明专利]用于对三维FeRAM中的存储单元进行读取和写入的方法

权利要求书

1.一种三维铁电存储器件的编程方法，包括：

在目标存储单元的选定的字线上施加第一电压，其中：

所述目标存储单元包括分别对应于第一阈值电压和第二阈值电压的第一逻辑状态和第二逻辑状态，所述第一阈值电压和所述第二阈值电压是由所述目标存储单元中的铁电膜的两个相反的电极化方向确定的；以及

在连接到所述目标存储单元的漏极端子的选定的位线上施加第二电压，其中，

所述第一电压和所述第二电压之间的电压差包括大于所述铁电膜的矫顽电压的第一幅值，以使所述目标存储单元从所述第一逻辑状态切换到所述第二逻辑状态；

在未选定的位线上施加通过电压，其中，

所述第一电压和所述通过电压之间的第二电压差包括小于所述铁电膜的所述矫顽电压的第三幅值；并且禁止未选定的存储单元在所述第一逻辑状态和所述第二逻辑状态之间切换。

2.根据权利要求1所述的编程方法，其中，使所述目标存储单元从所述第一逻辑状态切换到所述第二逻辑状态包括使所述电极化方向切换到相反方向。

3.根据权利要求1所述的编程方法，其中，施加所述第一电压和所述第二电压包括施加具有相反符号和相同幅值的电压。

4.根据权利要求3所述的编程方法，其中，施加所述第一电压包括施加正电压，并且其中，施加所述第二电压包括施加负电压。

5.根据权利要求4所述的编程方法，其中，使所述目标存储单元从所述第一逻辑状态切换到所述第二逻辑状态包括：使所述目标存储单元从所述第一阈值电压切换到所述第二阈值电压，所述第一阈值电压高于所述第二阈值电压。

6.根据权利要求3所述的编程方法，其中，施加所述第一电压包括施加负电压，并且其中，施加所述第二电压包括施加正电压。

7.根据权利要求6所述的编程方法，其中，使所述目标存储单元从所述第一逻辑状态切换到所述第二逻辑状态包括：使所述目标存储单元从所述第一阈值电压切换到所述第二阈值电压，所述第一阈值电压低于所述第二阈值电压。

8.根据权利要求1所述的编程方法，还包括：

在未选定的字线上施加所述通过电压，其中，所述通过电压高于所述第一阈值电压和所述第二阈值电压，并且所述通过电压具有小于所述铁电膜的所述矫顽电压的第二幅值。

9.根据权利要求1所述的编程方法，还包括：

在未选定的位线上施加所述第一电压，使得禁止未选定的存储单元在所述第一逻辑状态和所述第二逻辑状态之间切换。

10.根据权利要求1所述的编程方法，其中，施加所述第一电压和所述第二电压包括施加持续时间在10ns至100μs之间的范围内的电压脉冲。

11.根据权利要求1所述的编程方法，其中，施加所述第一电压和所述第二电压包括施加幅值在约1.5V至约5V之间的范围内的电压。

12.根据权利要求1所述的编程方法，还包括：

接通连接到所述目标存储单元的源极端子和阵列公共源极的下部选择晶体管；以及

在所述阵列公共源极上施加所述第二电压。

13.根据权利要求1所述的编程方法，还包括：

关断连接到所述目标存储单元的源极端子的下部选择晶体管。

14.根据权利要求1所述的编程方法，还包括：

接通连接到所述目标存储单元的所述漏极端子和所述选定的位线的顶部选择晶体管。